欢迎访问
中国记忆体扩产脚步不同调 长鑫、长江存储各有独门策略
2024-01-23 来源:科技网
2311

关键词: 长江存储 半导体 光刻机

中国记忆体受到美国管制规范,长鑫2024年将扩充产能及推动国产设备使用率。长鑫存储


中美地缘政治情势拉锯,中国加速半导体自给自足计画,DRAM与NAND Flash 2024年扩产脚步不同调。


其中,长鑫存储推动18.5奈米制程量产,避开美国商务部对18奈米以下的技术管制,二期新厂将力推中国国产化设备採用率大幅提升,全年产能规模将逐季成长。


而长江存储在遭列美国实体清单后,决定将採取自己研发路径,3D NAND堆叠制程蓝图已规画至300层以上,但关键设备进口遭受阻挠,上游材料和设备产能的国产化脚步将成最大挑战。


中美互动攻防挑战重重,近期美国政府持续加大力道管控出口至中国的高阶晶片与设备,半导体设备大厂ASML的特定型号机台许可日前遭到撤销,包括浸润式DUV(深紫外光)机台也面临断供。


由于先前市场早陆续传出浸润式DUV的出口许可将遭遇停止发放,中国客户加速赶在2023年底拉货完成,光是在11月从荷兰进口的微影设备,年增率就高达10倍。


儘管ASML认为出口执照撤销对2023年营运不受影响,业界透露,此次美国施压ASML停止出口的微影设备,最终影响的用户之一就是长江存储,可能将成为未来扩产的最大变数,虽然长江存除积极透过国产化零件和设备进行替代,但短期内达成效果有限。


由于美国对128层以上NAND Flash设备出口订下禁止红线,长江存储2023年推出“五台山”为命名的“合规”产品,刻意将层数堆叠降至120层,本预期五台山系列将作为2024年的扩产重点,且预定将增加月产量约3万~4万片规模,然而合规产品仍难取得美国的管制鬆绑,原先列为实体清单的限制并未解除,产能扩充计画也将遭受阻碍。


不过业界透露,中美关係短期内难有实质修复,长江存储按照内部研发脚步推进,后续仍将延续以中国名山为命名代号的传统,除了232层的武当山系列,三清山、太行山等陆续规画进行中,而太行山将可望超过300层堆叠,但考量3D NAND堆叠的限制敏感,未来长江存储将不会刻意对外公布堆叠层数的进展。


相较于长江存储的扩产计画步步受限,供应链指出,虽然美国限制中国採购18奈米以下的DRAM设备,但长鑫存储也向美国官方提出说明,对外号称的17奈米制程并未符合实际水准,如今则採取18.5奈米制程进行扩产,符合美国商务部的限制规范,日前自行研发LPDDR5 DRAM 记忆体进入量产后,2024年将逐步针对合肥二期新厂推动扩产计画。


据指出,长鑫的合肥1期厂区已接近满产,单月规模达10万片左右,北京厂也在2023年逐步放量,2024年上半将达到单月3万片规模。


至于合肥2期厂区也持续进行中,并针对中国的国产设备逐步导入落地,以加速设备国产化使用率提高,业界透露,由于长鑫18.5奈米制程未遭限制,引进国产机台后,生产良率也顺利调升,2024年资本支出将大幅成长。


若合肥二厂在年底提升至4万片月产能,届时长鑫将有机会在全球DRAM产能站上10%市佔率,中长期规画将朝向30万片扩产规模。



Baidu
map