中国记忆体受到美国管制规范，长鑫2024年将扩充产能及推动国产设备使用率。长鑫存储

中美地缘政治情势拉锯，中国加速半导体自给自足计画，DRAM与NAND Flash 2024年扩产脚步不同调。

其中，长鑫存储推动18.5奈米制程量产，避开美国商务部对18奈米以下的技术管制，二期新厂将力推中国国产化设备採用率大幅提升，全年产能规模将逐季成长。

而长江存储在遭列美国实体清单后，决定将採取自己研发路径，3D NAND堆叠制程蓝图已规画至300层以上，但关键设备进口遭受阻挠，上游材料和设备产能的国产化脚步将成最大挑战。

中美互动攻防挑战重重，近期美国政府持续加大力道管控出口至中国的高阶晶片与设备，半导体设备大厂ASML的特定型号机台许可日前遭到撤销，包括浸润式DUV（深紫外光）机台也面临断供。

由于先前市场早陆续传出浸润式DUV的出口许可将遭遇停止发放，中国客户加速赶在2023年底拉货完成，光是在11月从荷兰进口的微影设备，年增率就高达10倍。

儘管ASML认为出口执照撤销对2023年营运不受影响，业界透露，此次美国施压ASML停止出口的微影设备，最终影响的用户之一就是长江存储，可能将成为未来扩产的最大变数，虽然长江存除积极透过国产化零件和设备进行替代，但短期内达成效果有限。

由于美国对128层以上NAND Flash设备出口订下禁止红线，长江存储2023年推出“五台山”为命名的“合规”产品，刻意将层数堆叠降至120层，本预期五台山系列将作为2024年的扩产重点，且预定将增加月产量约3万~4万片规模，然而合规产品仍难取得美国的管制鬆绑，原先列为实体清单的限制并未解除，产能扩充计画也将遭受阻碍。

不过业界透露，中美关係短期内难有实质修复，长江存储按照内部研发脚步推进，后续仍将延续以中国名山为命名代号的传统，除了232层的武当山系列，三清山、太行山等陆续规画进行中，而太行山将可望超过300层堆叠，但考量3D NAND堆叠的限制敏感，未来长江存储将不会刻意对外公布堆叠层数的进展。

相较于长江存储的扩产计画步步受限，供应链指出，虽然美国限制中国採购18奈米以下的DRAM设备，但长鑫存储也向美国官方提出说明，对外号称的17奈米制程并未符合实际水准，如今则採取18.5奈米制程进行扩产，符合美国商务部的限制规范，日前自行研发LPDDR5 DRAM 记忆体进入量产后，2024年将逐步针对合肥二期新厂推动扩产计画。

据指出，长鑫的合肥1期厂区已接近满产，单月规模达10万片左右，北京厂也在2023年逐步放量，2024年上半将达到单月3万片规模。

至于合肥2期厂区也持续进行中，并针对中国的国产设备逐步导入落地，以加速设备国产化使用率提高，业界透露，由于长鑫18.5奈米制程未遭限制，引进国产机台后，生产良率也顺利调升，2024年资本支出将大幅成长。

若合肥二厂在年底提升至4万片月产能，届时长鑫将有机会在全球DRAM产能站上10%市佔率，中长期规画将朝向30万片扩产规模。