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长鑫、长存,中国两大存储芯片巨头,被美打压后,发展怎么样了?
2024-02-01 来源:科技专家
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关键词: 存储芯片 三星 SK海力士

2023年,是存储芯片厂商们,最近15年以来,最惨的一年。


因为需求不振,供过于求,大家库存高企,不得不降价求销量,以降价换订单,同时各大厂商又竞争激烈,所以价格是跌跌不休,最高时直接降了50%。


在2023年买DRAM内存,NAND闪存的人最有深刻体会,1TB的SSD,只要200块,想以前最便宜的也要400块左右。


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在这样的背景之下,三星、SK海力士、美光这三大巨头巨亏,数据统计下来,2023年这一年,这三大厂商,在存储芯片上亏了1500来亿元。


很多人感谢国产存储厂商,认为虽然有芯片周期的影响,但国产存储厂商功不可没,没有国产存储芯片厂商的搅局,怎么可能跌价会这么狠?


事实上也确实如此,各种因素交集在一起,才造成了2023年这个超级大低谷。


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那么问题来了,造成这样大低谷的情况下,国产存储芯片,究竟发展得怎么样了?今天好好聊一下这个话题。


原本国内有三大存储芯片基地的,一是长江存储主攻NAND闪存,一家是长鑫存储主攻DRAM内存,还有一家是福建晋华,主攻的也是DRAM内存。


不过后来因为美光的原因,晋华陷入停滞状态,没什么进展,只有长江存储、长鑫存储还在继续突破。


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长江存储发明了“晶栈”技术,从64层到128层,再迅速突破到232层,于三星、美光等巨头,站到同一起跑线,甚至在232层技术上,还超过了三星等,成为全球第一家量产232层3D NAND闪存的厂商。


不过后来被美国打压,美国想要锁死我们的NAND闪存技术在128层,对128层以上的设备、技术进行了封锁。


所以目前长江存储只有少量232层闪存生产线,还是禁令之前就建好的,目前主要还是生产128层技术,近日有媒体报道称,长江存储又推出了一个120层技术,但性能不比232层差,真假未知,但说明又有了突破。


从市场和产能来看,长江存储目前的市场约占全球5%左右,产能大约也在6%左右,但在持续扩产,未来的计划是达到全球15-20%的产能。


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再看长鑫存储,在DDR类型来看,长鑫目前已经生产出了DDR5内存,也算是处于顶尖水平了。


不过从工艺制程来看,还是落后三星、SK海力士这些一些,三星等实际工艺制程达到了14nm左右,而长鑫之前一直是21nm、19nm。


同时美国之前针对中国的DRAM内存,也出台了禁令,想要卡死在18nm,及任何18nm及以下的设备/技术,不允许被出口。


但近日,有媒体报道称,长鑫存储开始批量生产18.5nm工艺的DRAM芯片,月产量高达100000片晶圆。


同时长鑫启动二期建设,2024年底完成,预计达到1.4万片每月,产能占全球DRAM总产能的10%。


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可见,随着DRAM内存、NAND闪存方面,我们都受到打击,但厂商们一直在努力,技术、产能上均在不断突破,竞争力也在逐步提升。


这也是为何2023年,国内存储芯片厂商们降价这么狠的原因,因为竞争者多了,中国厂商更有成本优势,所以不得不降价。


希望接下来,国产存储芯片厂商们,能够不断的突破,提高产能,提高市占率,那么未来这些产品,想涨价都涨不起来了,消费者真正得到实惠。



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