众所周知，目前全球仅ASML一家能够生产EUV光刻机。

目前ASML对外出货的光刻机，其实均是数值孔径NA=0.33的光刻机，这种称之为低数值孔径的光刻机，一般用于3nm-7nm芯片的光刻。

而当芯片进入到3nm之下，也就是2nm、1.4nm、1nm芯片时，需要用到高数值孔径的光刻机，也就是NA=0.55的光刻机，型号应该是EXE：5200。

前段时间ASML终于将全球首台高数值孔径的光刻机EXE：5200，交付给了英特尔。

这台光刻机有多恐怖？首先是售价高达3.5亿欧元（约合27亿元人民币）。同时其大小约等于一辆双层巴士，重量高达150吨，也就是150000KG。

而这样的光刻机，是无法安装完全后，再运输的，运输时以会拆开，以组件的方式运送到客户单位，然后再组装。

运送的时候，需要用到250个货箱，而安装的时候，需要用到250名工程师，然后需要6个月的时间，才能全部组装完成，并联调到位。

所以，虽然ASML向英特尔交付了全球首台高数值孔径的EUV光刻机，但实际上，只是运送到英特尔，接下来这台光刻机正式启用运转，至少得半年之后。

而按照英特尔的计划，自己的INTEL 2工艺，也就是2nm芯片，得到2025年才能制造出来，所以这台光刻机的实际运转日期，也会到2025年去了。

之前ASML的总裁称，当数值孔径达到0.55之后，暂时可能就会告一段落了，甚至是最后一代EUV光刻机都有可能，ASML表示在现有技术条件之下，他们无法再提升数值孔径了。

目前EUV光刻机提升分辨率，有三个方向，一是降低光源波长，但13.5nm的极紫外线已经是极限，无法再降低了。二是提升数值孔径，但这一步也卡住了，ASML表示无法提升了，0.55是极限了。

还有就是提升光刻工艺因子，但目前的技术，也接近物理极限，无法提升了。

短时间来看，三个方向都是绝路，也就意味着EUV光刻机的分辨率暂时无法提升了，那么接下来，EUV光刻机的发展，会朝哪个方向呢？谁也不清楚。

那么佳能的NIL纳米压印等，在未来会不会接替EUV光刻机，成为主流呢？