据外媒消息，日本产业省周二表示，将向铠侠和西部数据提供2429亿日元（约合16.4亿美元）补贴，帮助它们在三重县和岩手县扩大存储芯片生产。日本工业大臣斋藤健表示，支持日本芯片制造商铠侠与西部数据合并。并预计未来内存市场将大幅增长，包括用于生成式人工智能的内存。

自2021年以来，西部数据及其制造合作伙伴铠侠一直就合并事宜展开谈判，合并后双方将创建一家控制全球NAND闪存市场三分之一的公司。2022年10月，铠侠和西部数据在日本三重县四日市合资建设的闪存制造工厂Fab7举行了竣工仪式。该厂总投资约一万亿日元，第一阶段部分投入由政府补贴资助，以促进日本本土尖端半导体生产设施建设。该工厂具备生产162层NAND Flash和未来更先进3D闪存的能力。

该合并谈判在2023年10月陷入僵局，随后西部数据宣布，该公司将剥离一直面临供应过剩问题的闪存业务，并为其部分债务进行新一轮融资。此次分拆将使这家数据存储产品制造商保留其传统的硬盘驱动器业务，并创建两家上市公司，以满足激进投资者埃利奥特的要求。去年，埃利奥特投资管理公司向西部数据施加压力，要求将其闪存业务和硬盘驱动器部门分开。

近日，据外媒引援知情人士说法称，贝恩资本正与相关公司洽谈，寻求重启存储芯片制造商西部数据与日本半导体公司铠侠的合并谈判。


三大存储原厂削减产能

为了调整市场供应，加速供需关系回归平衡，三星电子、SK海力士和美光这三大存储原厂纷纷采取了多项实质性措施。

首先，三星电子在2023年第四季度的资本开支同比大幅减少25.53%，降至14.0万亿韩元，体现了其对产能控制的决心。该公司计划至2024年上半年，将NAND闪存产量削减规模进一步扩大至40%-50%，以有效缓解市场供过于求的压力。

其次，SK海力士也相应减少了投资力度，2023年的资本开支同比下降50%至9.5万亿韩元，并预计2024年资本开支将同比小幅增长。公司自2023年10月起宣布实施NAND闪存减产措施，该政策将持续到至少2024年6月。

再者，美光方面，在2023财年内，各季度资本开支呈现逐季下滑趋势，至2024财年第一季度（FQ1-24），资本开支环比激增88.89%，升至17亿美元。自2022年11月开始，美光首次宣布并逐步加大减产幅度，从最初的20%逐步提升至30%，同时预测2024年的晶圆开工率将显著低于2022年的水平。

与此同时，中国台湾地区的多家存储厂商也在2023年第四季度实现了营收的环比增长，反映出市场需求回暖以及存储价格上涨的良好态势。例如，模组厂商威刚得益于PC市场的复苏，23Q4单季营收创下近13年来的历史新高，并预期DRAM与NAND Flash价格有望在全年保持上升格局。存储封测厂商力成科技在23Q4的季度营收超出了预期，其中12月份的营收更是达到了近14个月的新高，并乐观预计2024年下半年公司的稼动率有望达到80%，且此良好势头可能延续至2025年。

满足个性化需求成重点

在存储领域，还有一些常用却又容易忽视的移动存储设备，诸如U盘、闪存卡、移动硬盘等。可能有人说，2023年了，谁还用U盘，手机空间都256GB起步了。话是这么说，但是能用到U盘的场景还是很多的。不过，这的确已经不是各大厂商发力的重点产品线了。移动硬盘类产品，移动固态硬盘更多满足专业化存储需求，为极客玩家提供更快速的存储方案。而移动机械硬盘，仍然有容价比优势。厂商除了在外观上做一些个性化设计以外，却也不能再有性能更强的新品了。不过，冲着颜值和容价比，还是可以冲一波的。闪存卡则与这两类产品有所不同，它一直有着自己固定又专业的目标客户群，所以即使不是每个人都会买，厂商仍然会在提升它的专业性能上发力。

体现到终端设备上的亮点与创新，让消费者切实感受到了存储设备在速度和容量上的再次突破。没错，为了应对日益快速增长的用户数据量，存储设备提速和扩容是永恒不变的主旋律。在这个基础上，满足专业用户个性化的存储需求的解决方案将会成为各大厂商未来主要发力的方向。

值得一提的是，在2023年，采用长江存储NAND颗粒、长鑫存储DRAM颗粒的固态硬盘、内存在“价格战”中抢占优势，也给了消费者更多、更具性价比的存储解决方案。尤其是人工智能的广泛应用，数据量快速增长，NAND、DRAM、HBM 等高性能存储设备需求量更加庞大，国产存储迎来了最好的时机。对消费者来说，一款性能靠谱的产品就会得到大家的青睐。希望在2024年，我们会看到更多能够轻松应对不断变化的存储需求的解决方案。


HBM成为高性能计算军备竞赛的核心

目前，训练、推理环节存力需求持续增长、消费端及边缘侧算力增长，正在打开HBM市场空间。

从成本端来看，HBM的平均售价至少是DRAM的三倍，此前受ChatGPT的拉动同时受限产能不足，HBM的价格一路上涨，与性能最高的DRAM相比HBM3的价格上涨了五倍，高端AI服务器GPU搭载HBM芯片已成主流。

根据TrendForce，2022年全球HBM容量约为1.8亿GB，2023年增长约60%达到2.9亿GB，2024年将再增长30%。方正证券观点认为，以HBM每GB售价20美元测算，2022年全球HBM市场规模约为36.3亿美元，预计至2026年市场规模将达127.4亿美元，对应CAGR约37%。

集邦咨询则表示，2023年主流需求自HBM2e转往HBM3，需求比重预计分别为50%及39%。2024年市场需求将大幅转往HBM3，HBM3比重预计达60%。由于HBM3平均销售单价远高于HBM2e与HBM2，因此将助力原厂HBM领域营收增长，有望进一步带动2024年整体HBM营收至89亿美元，同比增长127%。

目前整个HBM市场是三分天下的格局，其中SK海力士技术领先，三星/美光加速追赶。

SK海力士当前技术领先，核心在于MR-MUF技术，MR-MUF能有效提高导热率，并改善工艺速度和良率。SK海力士于2021年10月率先发布HBM3，2023年4月公司实现了全球首创12层硅通孔技术垂直堆叠芯片，容量达到24GB，比上一代HBM3高出50%，SK海力士计划在2023年年底前提供HBM3E样品，并于2024年量产，公司目标2026年生产HBM4。

三星则有万亿韩元新建封装线，预计25年量产HBM4。为应对HBM市场的需求，三星电子已从三星显示（SamsungDisplay）购买天安厂区内部分建筑物和设备，用于建设新HBM封装线，总投资额达到7000-10000亿韩元。三星预计将在2023Q4开始向北美客户供应HBM3。

美光则将在2024年量产HBM3E，多代产品研发中。美光在此前的财报电话会议上表示将在2024年通过HBM3E实现追赶，预计其HBM3E将于2024Q3或者Q4开始为英伟达的下一代GPU供应。11月6日美光在台湾台中四厂正式开工，宣布将集成先进的探测和封装测试功能，生产HBM3E等产品。