PMOS是指N型衬底、P沟道，靠空穴的流动运送电流的MOS管，因为PMOS是N型硅衬底，多数载流子是电子，少数载流子是空穴，源漏区的掺杂类型是P型，所以PMOS的工作条件是在栅上相对于源极施加负电压，而在衬底感应的是可运动的正电荷空穴和带固定正电荷的耗尽层。当达到强反型时，在相对于源端为负的漏源电压的作用下，源端的正电荷空穴经过导通的P型沟道到达漏端，形成从源到漏的源漏电流。VGS越负(绝对值越大)，沟道的导通电阻越小，电流的数值越大。本期，合科泰给大家介绍一款P沟道MOS管IRLML6402，它在稳压器、开关电路、电源、电压调节、智能血压计、智能家电等上面有着广泛的应用。

IRLML6402的特性

合科泰生产的这款产品是一款低压MOS管，它具有很好的电学特性，IRLML6402具有超低的导通电阻，该MOS管的开启和关闭迅速，它的稳定性和可靠性非常好。它采用P沟道制作，漏源电压-20V，栅源电压±12V，连续漏极电流-3.7A，漏源导通电阻0.065Ω，最小栅极阈值电压-0.4V，最大栅极阈值电压-1.2V，耗散功率1300mW。IRLML6402导电性能优异，响应速度极快，整机重量约0.008克，非常轻巧。这些性能使得IRLML6402在MOS管驱动电路、开关电路、稳压电路等上面具有良好的表现。

这款产品采用了SOT-23封装，SOT23封装是一种非常小型表面贴装封装，SOT23封装产品具有紧凑的尺寸、良好的散热性能，坚固耐用，工作效率很高，为工程师提供了更多灵活性。它的适应性极强，在物联网设备、电源、家电、蓝牙设备、手机、平板等领域应用广泛。SOT23封装的尺寸很小，适用于有限空间的电路设计。IRLML6402有3个引脚，这些引脚用于连接器件的电气和机械连接。

SOT23封装采用SMT技术，它的引脚直接焊接到印刷电路板表面，而不需要通过孔穴。这种设计简化了制造过程，有助于提高生产效率。散热性能好，IRLML6402的封装设计允许器件在封装外部散热，有助于降低温度并提高器件的稳定性。总之，IRLML6402是一款稳定、可靠的低压MOS管，它的作用有开关、放大、稳压调压、电路保护等。

IRLML6402的应用

合科泰的这款产品功能完善，性能强大且稳定，可以在各种MOS电路中发挥关键作用。IRLML6402在稳压器、电源、智能家电、电机控制、LED照明、可穿戴设备、便携式电子设备、光伏发电等领域有很多应用。如IRLML6402的快速开关特性使得它在MOS开关电路上有着重要的作用。IRLML6402的重要漏电流可以做到3.7A，导电阻是极低的，这样的性能使得它能在高效工作的同时，维持较低的热损耗，能效高，减少总体设计的系统成本。在电池管理方面，IRLML6402的使用能明显延长电池的寿命，提高电池设备的综合性能。

以IRLML6402在双电源切换电路上的应用为例，在光伏发电应用上，集成电路搭建了一种嵌入式系统电源，在传统光伏发电系统上加入了智能充电控制芯片、最大功率跟踪、双电源切换功能、MOS管等，最大限度地延长了蓄电池的使用寿命，极大地提高了电源供电的效率，增强了系统的稳定性。

如上图的双电源切换电路包括充电电路和放电电路，充电控制电路利用光耦控制场效应管的栅极电压，当图示的充电控制端口的控制电平为低时，光耦TLP521-1导通，栅极电平为低，MOS管IRLML6402导通，反之则MOS管断开，从而达到控制太阳能电池板电压输出的充电电压对电池充电的效果。在放电控制电路应用上，它利用光耦控制场效应管的栅极电压，当如图示的放电端口的控制电平为低时，光耦导通，栅极电平为低，MOS管导通，反之MOS管断开，从而达到控制电池输出电压的效果。

作为一款经典且实用的MOS管产品，IRLML6402是工程师需要详细了解的典型产品。合科泰建议，客户在购买IRLML6402元器件之前，需要了解自己产品的规格需求，确定您所需的IRLML6402元器件的规格，以满足项目的要求。选择稳定的供应商，做好品牌评估。确定供应商的IRLML6402性能以及供应状况。作为一家专业生产MOS管产品的原厂，合科泰的IRLML6402经过了严格的质量控制和检测，确保产品的稳定性和可靠性。