韩国媒体 TheElec报道，三星正在考虑在其下一代 DRAM 中应用模压填充（MUF）技术。三星最近测试了一种用于 3D 堆栈 (3DS) 存储器的MUF 技术，与 TC NCF 相较其传输量有所提升。
据悉，MUF 是一种在半导体上打上数千个微小的孔，然后将上下层半导体连接的硅穿孔 (TSV) 技术后，注入到半导体之间的材料，它的作用是将垂直堆栈的多个半导体牢固地固定并连接起来。而经过测试后获得的结论，MUF 不适用于高频宽存储器 (HBM)，但非常适合 3DS RDIMM，而目前 3DS RDIMM 使用硅通孔 (TSV) 技术制造，主要应用于服务器上。
在此之前，三星已经在其现有的双列直插式存储器模块（RDIMM）中使用了热压非导电膜（TC NCF）技术。而 MUF 是另一家存储大厂用于制造高频宽存储器（HBM）的技术，其所用的技术为 Mass Re-flow Molded Underfill，简称 MR-MUF。事实上，MUF 是一种环氧树脂模塑化合物，自从该大厂成功将其应用于 HBM 生产后，便在半导体产业中受到关注，业界认为该材料被认为在避免晶圆翘曲方面更有优势。
消息人士称三星计划与三星 SDI 合作开发自己的 MUF 化合物，目前已经订购了 MUF 应用所需的模压设备。而因为三星是世界最大的存储器龙头企业，所以若三星也导入 MUF，那么 MUF 可能会成为主流技术，半导体材料市场也会发生巨大的变化。
SK海力士打败三星的关键技术
SK海力士在HBM市场之所以崭露头角的原动力就是因为MR-MUF这种技术。MR-MUF是一种高端封装工艺技术。MR-MUF是指将半导体芯片贴附在电路上，在芯片向上堆放时，在芯片和芯片之间使用一种称为EMC的物质填充和粘贴的工艺。
到目前为止，在这个工艺中使用NCF技术。NCF是一种在芯片和芯片之间使用薄膜进行堆叠的方式。三星电子、SK海力士、美光半导体等DRAM厂商采用了NCF技术。SK海力士从第三代HBM-HBM2E开始采用这种方式。
当初，三星电子等竞争厂商预测是成功采用MR-MUF方式是不可能的。但是SK海力士PKG开发部门通过日本NAMICS公司获得材料供应，并成功开发。据传，三星电子等主要DRAM厂商听到上述消息后，均感到无比震惊。据了解，三星电子目前也在研究MR-MUF方式。
业界某相关人士表示：“MR-MUF方式与NCF相比，导热率高出2倍左右，不仅对于工艺速度，还是良率等都有很大影响。虽然现在仍处于初期阶段，但是从明年开始，预计HBM3市场将正式扩大。”
三星电子如何将非导电胶（NCF）更改为模塑底部填胶（MUF）的具体技术细节是什么？
三星电子计划将非导电胶（NCF）更改为模塑底部填胶（MUF）的具体技术细节包括：首先，三星将从非导电薄膜（NCF）过渡至模塑底部填胶（MUF）。NCF是一种在半导体之间形成一层耐用薄膜的方法，用于防止芯片轻易弯曲。而MUF技术则是SK海力士用于制造高带宽内存（HBM）的技术，这表明MUF技术相比于NCF具有更高的技术要求和应用场景。因此，三星电子通过升级工艺，采用MUF技术，旨在实现更先进的封装工艺，以提高芯片的封装质量和性能。
三星电子新一代2.5D封装技术"I-Cube4"的技术原理和应用前景如何？
三星电子的新一代2.5D封装技术"I-Cube4"是一种异构集成技术，它能够将一个或多个逻辑芯片（如CPU、GPU等）和多个内存芯片（如HBM）水平放置在硅中介层（Interposer）的顶部。这种技术不仅提高了芯片的集成度，还通过异构集成实现了更高效的性能和功耗管理。
应用前景方面，I-Cube4已经被正式投入商用，适用于HPC、AI、5G、云、数据中心等多个领域。这表明该技术具有广泛的应用潜力，能够满足不同行业对高性能计算、人工智能、5G通信、数据中心存储等方面的需求。此外，随着摩尔定律面临晶体管微缩物理极限和成本上升的挑战，I-Cube4技术的推出有望为半导体产业提供新的发展方向和解决方案。
三星电子的"I-Cube4"封装技术在技术原理上实现了高度集成化和异构优化，其应用前景广阔，特别是在推动高性能计算、人工智能、5G通信、数据中心等关键领域的发展中发挥着重要作用。
三星电子计划推出的先进3D芯片封装技术SAINT的技术细节和预期影响是什么？
三星电子计划推出的先进3D芯片封装技术SAINT，旨在通过将多个设备合并并封装成一个电子设备的方式，提高半导体性能而无需通过超精细加工缩小纳米尺寸。SAINT技术包括三种不同的技术类型：SAINT S、SAINT D和SAINT L，分别用于垂直堆叠SRAM存储芯片和CPU、涉及处理器（如CPU和GPU）和DRAM存储器的垂直封装以及堆叠应用处理器（APs）。这些技术能够将AI芯片等高性能芯片的内存和处理器集成在更小尺寸的封装中。
预期影响方面，SAINT技术的推出预计将对半导体行业产生重大影响。首先，它将推动芯片集成度和性能的提升，特别是对于高性能芯片如AI芯片的需求增加。其次，由于3D封装技术允许芯片之间对能源密集型数据传输的需求减少，从而实现整体节能。此外，三星通过SAINT技术的投资，有望赢得NVIDIA和AMD等大客户的青睐，这表明SAINT技术在技术上的先进性和市场潜力。最后，随着SAINT技术的进一步发展和服务范围的扩大，预期将提高数据中心AI芯片及内置AI功能手机应用处理器的性能。
三星电子计划推出的SAINT技术，不仅在技术上具有创新，而且预期将显著提升半导体性能，促进节能减排，并增强与主要客户的合作关系，从而在全球半导体行业中占据更重要的地位。
