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台积电3nm晶体管密度竟然高于Intel 18A!
2024-03-13 来源: 芯智讯
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关键词: 台积电 英特尔 三星

据外媒报导,在最近2024 SEMI International Strategy Symposium会议上,半导体研究机构TechInsights分享了台积电、英特尔、三星的尖端制程比较,显示台积电的3nm性能可能要优于英特尔Intel 18A。


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英特尔计划在今年下半年量产Intel 18A,并于明年推出相关产品,但是并没有公布Intel 18A的能耗数据。根据TechInsights公布的数据来看,台积电3nm(N3)制程或强化版N3E的晶体管密度分别为283MTx/mm²(每平方毫米百万晶体管)、273MTx/mm² ,都高于英特尔Intel 18A的195MTx/mm²。不过,英特尔Intel 18A采用背面供电(Backside power)技术,对降低能耗有一定帮助,但Intel 18A大幅超越台积电3nm性能还是不太可能。


除了英特尔,三星先跨入GAA构架Nanosheet制程,力图弯道超车台积电。比较晶体管密度、性能、能耗后,同年制程三星都落后台积电;台积电晶体管密度也约是三星1.5倍以上;先进制程客户数量方面,台积电也远远超过三星。


台积电法说会说,2nm将于2025下半年量产,3nm家族也持续扩大强化版。N3E于2023年第四季量产后,之后还有N3P和N3X,近期AI需求激增,也支持节能运算需求加速成长,又使3奈米家族营收占比提高。


日前IFS Direct Connect英特尔分享「四年五节点」最后节点Intel 18A制程后计划,公布新制程,新增Intel 14A-E和数个专业节点强化版。照英特尔计划,Intel 14A最快2026年量产,Intel 14A-E要到2027年。但英特尔还未宣布Intel 14A和Intel 14A-E产品。


三星2022年6月底为全球首家量产采用全栅极(GAA)构架3nm的厂商,2024年量产第二代3nm,2025年量产2nm。最近三星通知客户和合作伙伴,第二代3nm更名为2nm,韩国业界人士表示接到三星通知,2023年与三星代工厂签订第二代3nm协议,也会改名为2nm,近期会重新拟约。



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