日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新型80 V对称双通道n沟道功率MOSFET---SiZF4800LDT，将高边和低边TrenchFET Gen IV MOSFET组合在3.3 mm x 3.3 mm PowerPAIR 3x3FS单体封装中。Vishay Siliconix SiZF4800LDT适用于工业和通信应用功率转换，在提高功率密度和能效的同时，增强热性能，减少元器件数量并简化设计。
日前发布的双通道MOSFET可用来取代两个PowerPAK 1212封装分立器件，节省50%基板空间。器件为设计人员提供节省空间的解决方案，用于同步降压转换器、负载点（POL）转换器、DC/DC转换器半桥和全桥功率级，适用领域包括无线电基站、工业电机驱动、焊接设备和电动工具。这些应用中，SiZF4800LDT高低边MOSFET提供50%占空比优化组合，同时4.5 V下逻辑电平导通简化电路驱动。
为提高功率密度，该MOSFET 在4.5 V条件下导通电阻典型值降至18.5 mW，达到业内先进水平。比相同封装尺寸最接近的竞品器件低16 %。SiZF4800LDT低导通电阻与栅极电荷乘积，即MOSFET功率转换应用重要优值系数（FOM）为 131mW*nC，导通电阻与栅极电荷乘积提高了高频开关应用的效率。
器件采用倒装芯片技术增强散热能力，热阻比竞品MOSFET低54 %。SiZF4800LDT导通电阻和热阻低，连续漏电流达36 A，比接近的竞品器件高38 %。 MOSFET独特的引脚配置有助于简化PCB布局，支持缩短开关回路，从而减小寄生电感。SiZF4800LDT经过100% Rg和UIS测试，符合RoHS标准，无卤素。
竞品对比表：
产品编号 | SiZF4800LDT (新品) | 竞品 | SiZF4800LDT 性能改进型 | |
封装 | PowerPAIR 3x3FS | PowerPAIR 3x3FS | ||
尺寸 (mm) | 3.3 x 3.3 x 0.75 | 3.3 x 3.3 x 0.75 | - | |
配置 | 对称双通道 | 对称双通道 | - | |
VDS (V) | 80 | 80 | - | |
VGS (V) | ± 20 | ± 20 | - | |
RDS(on) (m?) @ 4.5 VGS | 典型值 | 18.5 | 22 | +16 % |
最大值 | 23.8 | 29 | +18 % | |
Qg (nC) @ 4.5 VGS | 典型值 | 7.1 | 6.0 | - |
FOM | - | 131 | 132 | +1 % |
ID (A) | 最大值 | 36 | 26 | +38 % |
RthJC (C/W) | 最大值 | 2.2 | 4.8 | +54 % |
SiZF4800LDT现可提供样品并已实现量产，供货周期为26周。
