存储芯片市场迎来大超预期的新一轮上升期，行业巨头美光科技的财报数据全面飘红，预示今年存储市场供不应求。美光科技的财报显示，当季业绩不仅全面超过预期，而且未来业绩指引也超预期。更关键的是，美光在展望中明确强调今年存储市场将供不应求，这一消息直接推动了美股美光科技盘后大涨18%。

美光作为全球存储三巨头之一，其景气度就是全球存储产业的风向标。存储芯片受供需关系驱动，是科技领域最典型的周期品。目前，上一轮周期已经于2023年下半年见底，存储价格已经持续上涨，2024年将全面开启存储的新一轮上升期。

而AI大周期的新需求驱动将使新一轮存储周期弹性更大，无论是服务器、手机还是PC，AI对这三块的需求都是爆发式驱动。

利好传来，三星电子欲涨价

在半导体行业中，最重要的方向莫过于存储器，几乎所有常见的电子设备都需要使用存储器，因此应用端涉及消费电子、信息通信、汽车电子、物联网、高新科技等领域。

而半导体存储芯片中DRAM（即常说的内存）和NAND Flash（闪存的一种）是最主流的半导体存储器，有机构称这两种在存储芯片市场规模中的占比超过95%。

TechInsights的统计数据显示，截至2024年2月16日的一周，DRAM销售额同比增长79%。预计2024全年，全球DRAM芯片销售额将增长46%，达到780亿美元。

据悉，受益于需求的激增，存储芯片的价格也在持续上涨。

DRAM Exchange预计在供给控制持续以及需求缓步复苏下，2024年第一季DRAM环比涨幅13%-18%，NAND环比涨幅18%-3%。

在公司层面，据韩媒ChosunBiz报道，三星电子计划在今年3月至4月期间，与主要移动端、PC端、服务器端客户重新协商价格，目标涨价15%至20%。

作为全球存储芯片龙头，三星电子的涨价也被视为是行业回暖的标志性信号。

山西证券3月18日发布研报称，受益生成式AI需求增长及消费电子年终出货，2023年四季度起全球半导体及细分产业陆续回温。需求端，2023年四季度手机、PC市场同比均有复苏，2024年1月全球半导体销售额同比增幅达2022年5月以来最高水平。供给端，下游库存陆续回归正常水位，受益AI相关布局需求存储芯片价格涨势强劲。

德邦证券近期曾指出，DRAM需求受多因素催化，价格有望持续逐步上涨。NAND客户需求转强而总体供给下降，从而推动价格上涨趋势。模组端，铠侠根据市场灵活调整产能，预计存储产品售价将不断改善。


大厂竞相追逐

HBM3e将于今年迎放量周期

目前，高带宽存储器HBM（High Bandwidth Memory）已经从HBM、HBM2、HBM2E，发展至HBM3、HBM3E。存储大厂扩产重心主要在HBM3以及HBM3e产品上。

HBM3主要有SK海力士和三星供应，从供应端情况来看，据TrendForce集邦咨询资深研究副总吴雅婷表示，目前，NVIDIA现有主攻H100的存储器解决方案为HBM3，SK海力士是最主要供应商，然而供应不足以应付整体AI市场所需。至2023年末，三星以1Znm产品加入NVIDIA供应链，尽管比重仍小，但可视为三星于HBM3世代的首要斩获。

TrendForce集邦咨询调查指出，2024年第一季，三星HBM3产品也陆续通过AMD MI300系列验证，其中包含其8h与12h产品，故自2024年第一季以后，三星HBM3产品将会逐渐放量。值得注意的是，过去在HBM3世代的产品竞争中，美光（Micron）始终没有加入供应行列，仅有两大韩系供应商独撑，且SK海力士HBM市占率目前为最高，三星将随着后续数个季度MI300逐季放量，市占率将急起直追。

HBM3e方面，今年以来，市场目光将从HBM3转向HBM3e，预计下半年将逐季放量，并逐步成为HBM市场主流。据悉，英伟达（NVIDIA）新一代含B100或H200的规格将为最新HBM3e产品。

从大厂最新动态来看，SK海力士于3月19日宣布已开始量产高带宽内存产品HBM3E，将从3月下旬起向客户供货。据透露，该公司新芯片将首先发货给英伟达，并用于其最新的Blackwell GPU。

美光科技透露在最近一个季度，公司首次从其新品HBM3E中获得收入。该公司特别提到，HBM3E将于第二季末供给英伟达的AI芯片H200 Tensor Core GPU。

三星方面，该公司将于今年上半年开始批量生产HBM3E 12H。TrendForce集邦咨询表示，由于递交样品的时程较其他两家供应商略晚，预计其HBM3e将于第一季末前通过验证，并于第二季开始正式出货。由于三星HBM3的验证已经有了突破，且HBM3e的验证若无意外也即将完成，这也意味着该公司的出货市占于今年末将与SK海力士拉近差距。

HBM国内即将实现0-1的突破

全球HBM产品被海力士、三星、美光三分天下，目前国内仅有长鑫存储有HBM的实际样品，长鑫存储和通富微电合作，在23年5月成功在通富微电生产出国内首批基于3D封装的HBM颗粒，预计今年一季度将有1k颗8Hi 8GB HBM2出货，此外，还有3家公司在突破HBM的瓶颈，华为在23年10月立项研发HBM，甬矽电子（688362）也具备HBM的生产能力和设备，有是一条中试线在运行。海光信息在和通富微电做做HBM研发，生产HBM2E 16GB产品用于海光深算3，进度非常快，根据海光信息官方透露，今年将推出海光深算3，那么HBM2E也将在今年推出。武汉新芯发布《高带宽存储芯粒先进封装技术研发和产线建设》招标项目，要进入HBM市场。

从这两方面来看，HBM是存储芯片最先进的技术，也是最具有想象空间的，HMB还有三大利好