在HBM的竞争方兴未艾，存储巨头三星和SK海力士正在GDDR 7和CXL等存储上开启了新一轮的争霸战，这首先体现在GDDR 7上。


GDDR 7新战争

近日，三星和SK海力士各自在GTC大会上展示了自家的GDDR7显存。三星展示了其即将推出的28Gbps和32Gbps GDDR7显存，并且正在研发37Gbps的GDDR7显存，这是目前已知速度最快的此类显存。而海力士则将目标定在了更高的40Gbps，这或将成为其整个G7系列显存的性能目标。

据三星表示，GDDR7内存的能效将提高20%，同时工作电压仅为1.1V，低于标准的1.2V。通过采用更新的封装材料和优化的电路设计，使得在高速运行时的发热量降低，GDDR7的热阻比GDDR6降低了70%。

新一代 GDDR7 内存还将提供更高的容量选择，本次展示的版本包括 16Gb 和 24Gb 的款式 (分别对应 2GB 和 3GB 的显存容量)。根据 JEDEC 组织公布的规格，未来 GDDR7 内存的速率有望进一步提升至 48Gbps，容量也将达到 64Gb (8GB)，这将带来显存容量的巨大飞跃。标准的 256-bit 显卡接口搭配这样的内存将能提供高达 64GB 的显存，相比当前最高可达的 16GB 是巨大的提升。

据Tweaktown报道，GeForce RTX 50系列采用新款显存没有太大悬念，但是并非所有新一代显卡都是如此，英伟达仅会在三款定位相对较高的GB20x系列上支持GDDR7，分别是GB202、GB203和GB205，覆盖RTX 5070至RTX 5090的产品线。传闻支持的是16Gb（2GB）的GDDR7模块，还可能支持24Gb（3GB）模块，速率为28Gbps，低于标准的32Gbps。


争霸CXL

三星电子和 SK 海力士推出了大量用于人工智能 (AI) 的下一代内存 CXL（Compute Express Link）新技术。

三星电子和SK海力士计划参加本月26日至27日在美国加利福尼亚州山景城举行的全球半导体会议“MemCon 2024”。继上周在加州举行的NVIDIA年会GTC 2024上推出下一代内存HBM（高带宽内存）后，两家公司此次瞄准CXL，旨在引领下一代内存市场。

随着生成型人工智能和数据中心中要处理的数据量呈指数级增长，CXL 是一种与 HBM 一起作为下一代存储器而备受关注的产品。CXL的优点是“灵活增加内存容量”。该技术是一种基于PCIe的集成接口标准，用于高效构建高性能计算系统，并且由于通过增加服务器系统的内存带宽来提高性能并且易于扩展内存容量而受到关注。

三星电子和 SK 海力士将 CXL 视为“下一代内存的新机遇”，并在两年前积极披露该技术，一直致力于扩大市场生态系统。由于英特尔准备在今年下半年推出第5代Xeon处理器，这是首款符合CXL 2.0标准的中央处理器（CPU），两家公司的目标是在今年量产CXL 2.0内存产品，并扩大产能认真供应。

去年5月，三星电子宣布在业界首次开发支持CXL 2.0的128GB DRAM，同年12月共开发出4款产品，其中包括三星CMM-D、三星CMM-DC、三星CMM-H 和三星CMM-HC CXL产品的推出是通过一次性申请四个商标来宣布的。CMM 代表 CXL 内存模块，在三星内部，CXL 统称为 CMM。

此外，三星电子去年12月与企业Linux公司Red Hat成功验证了CXL内存的运行。此外，三星电子正在重点开发CXL控制器，以用自己的产品取代从中国无晶圆厂公司澜起科技购买的CXL控制器。

SK海力士于2022年8月推出支持CXL 2.0的96GB DRAM样品，并于同年10月宣布开发出业界首款集成基于CXL计算功能的内存解决方案CMS。去年10月，SK海力士参加了在美国加利福尼亚州举行的“OCP全球峰会2023”，通过展示基于XL的CMS和拉取存储器解决方案来展示其技术。

CXL内存未来增长潜力巨大。市场研究公司 Yole Development 预测，到 2028 年，全球 CXL 市场将增至超过 150 亿美元（19.5 万亿韩元）。CXL 控制器市场预计将从 2022 年的 9600 万美元增至 2029 年的 7.627 亿美元（9888 亿韩元）。


HBM仍然是最重要的领域

随着Nvidia透露计划从韩国芯片巨头三星电子订购尖端组件，HBM市场的领导地位争夺战愈演愈烈，三星电子正寻求智胜同城对手SK海力士。

在上周的媒体简报会上，Nvidia的联合创始人兼首席执行官Jensen Huang公开支持三星电子，并透露公司计划在未来使用这家韩国芯片制造商的HBM芯片。总部位于美国的Nvidia是先进HBM芯片的最大买家，这些芯片已成为人工智能图形处理单元的关键组件。

黄仁勋在周二于加利福尼亚州圣何塞举行的公司年度GPU技术会议上的媒体简报会上说：“HBM内存非常复杂，附加值非常高。我们在HBM上投入了大量资金。”

他补充说：“我还没有使用三星的HBM3E。我目前正在验证它。”黄仁勋还参观了三星在GTC活动上设立的展示厅，并在三星12层HBM3E旁边留下了简短的“Jensen approved”评论，引发了关于Nvidia正在进行最新型号资格测试的猜测。Nvidia首席执行官并未访问SK海力士的展位。

业内人士解释了黄仁勋对三星的公开支持，认为Nvidia可能希望采取多供应商策略，以降低只有一个供应商的风险。

一位要求匿名的行业官员解释说：“从买方的角度来看，对于他们产品中的关键组件只有一个供应商会感到不安全。他们希望与多个供应商合作，以在采购交易中获得更高的议价能力。（Nvidia首席执行官）提到三星可能有不同的解释，因为这意味着三星的产品尚未通过资格测试。”

当开发新的内存芯片时，它们会经过一个资格测试过程，以验证它们与客户端产品的兼容性。当一个芯片获得资格认证时，意味着它已准备好开始大规模生产。

HBM芯片作为一种新技术引起了关注，它通过垂直堆叠DRAM芯片来提高数据处理速度。HBM3目前被广泛使用，但芯片制造商正在推出扩展版本HBM3E。

SK海力士预计将成为第一个向Nvidia交付八层HBM3E的供应商，该公司宣布已经开始大规模生产，并计划在本月底前向Nvidia供应先进芯片。

为了确保领先优势，三星宣布已开发出12层HBM3E，这是业界最大的容量，达到36GB，并表示计划在今年上半年开始批量生产。这家芯片巨头还确认，正在准备在6月和7月左右开始大规模生产八层HBM3E。

美国美光科技公司也表示，将开始大规模生产HBM3E，并计划在今年上半年向Nvidia交付产品。

虽然HBM芯片目前仅占整个内存芯片市场收入的约1%，但随着生成式人工智能的兴起，预计其市场份额将迅速扩大。

黄仁勋补充说：“随着生成式人工智能的发展，所有数据中心的DDR RAM将被HBM取代，三星和SK海力士的升级周期将是巨大的。”

市场追踪机构TrendForce的数据显示，SK海力士是当前HBM市场的领导者，占据了约53%的市场份额，而三星占据了约38%。总部位于美国的美光科技公司占据了剩余的9%份额。

在周三的常规股东大会上，负责三星芯片部门的三星总裁Kyung Kye-hyun表示：“今年将是三星全面复苏和增长的一年。”

他补充说：“我们将在未来两到三年内重新夺回全球芯片行业的头把交椅。”，并特别指出公司将在今年上半年开始大规模生产12层HBM3E芯片。