去年的中国闪存峰会CFMS 2023，与会者都关注存储行业何时能触底反弹。

“存储市场规模经历了两年的下滑后，2024年开始重新回到正轨。”深圳市闪存市场资讯有限公司总经理邰炜在MemoryS（CMFS的新品牌名）上表示，“我们预计今年市场规模相比去年将提升至少42%。”

存储是一个周期性行业，从2019年到2023年，存储行业经历了供过于求-疫情-缺货-库存-超跌，最后以原厂主动减产结束。

邰炜说，“展望2024-2026年，我们认为新技术和AI应用将激发存储的潜能，走出传统的价格周期，进入新周期，这也是我们今年峰会的主题，‘存储周期 激发潜能’。”

存储市场触底反弹

存储市场在去年底就迎来了全面反弹。从市场现货价格看，2023年第三季度原厂强势减产并强势拉涨价格。2023年第一季度，存储价格再次大涨。

邰炜预测，“今年后续三个季度的价格将保持平稳向上的趋势。但过高过快涨的涨幅将严重影响终端产品线的规划、打击容量扩充的积极性，也不利于产业整体健康稳定的发展。”

从原厂利润率的维度看，2023年第一季度触底后，2024年第四季度有非常可观的改善，个别公司已经开始恢复盈利。邰炜预计2024年第一季度大部分公司的利润率都会有效扭转。再看具体产品，预计2024年，NAND FLASH将超过8000亿GB单量，相比去年增长20%，DRAM将达到2370亿GB单量，预计增长达15%。

市场规模增长的同时，存储技术也在向前演进。

NAND FLASH，各大原厂都继续推出更高堆叠的产品，去年已经推出了200层以上的产品，今年朝着300层堆叠推进，这将带来更高的闪存容量。

“架构上看，键合技术逐步进入主流，这种架构产品随着堆叠层数的提升，将更具成本优势。并且这种架构可以将更多特性使用到NAND FLASH，这也是存储激发潜能的一种方式。”邰炜同时指出，随着更多产品对容量的要求越来越高，QLC的应用将加速，除了传统SSD产品，其它应用领域也将开始全面扩展。

DRAM方面，将全面进入EUV时代，下一代产品也将在最近1-2年内出现。从产品和应用看，手机、PC和服务器依旧是存储最大的三个市场，汽车市场在快速增长。在生成式AI的推动下，2023年AI服务器增长迅猛，带动了HBM、DDR5的需求。

“2024年，服务器市场是DDR5正式迈过50%的一年，今年下半年5600速率会进入主流，同时高容量模组128GB/256GB进入服务器主流市场的障碍扫清。”邰炜说，“CXL进入实用阶段，正式开始专利池的新时代，加上HBM3e进入量产，今年服务器内存的升级将非常的激进。”

根据原厂的规划，2024年HBM3e将正式量产。

AI服务器除了带动高容量HBM需求，对DDR5的容量需求是普通服务器的2-4倍。这将使得未来5年AI服务器将驱动DRAM需求大增。服务器的SSD的需求也将在AI的带动下快速增长，2024年服务器PCIe5.0 SSD的渗透率将较2023年翻倍成长，容量将达到8TB/16TB及以上。

在手机市场，UFS的市场占有率进一步提升，更高性能的UFS4.0增长更为明显。同时，高端机型的存储容量基本进入了512GB以及TB时代。

“今年手机平均容量将超过200GB，内存也朝更高性能的LPDDR5演进，预计今年手机DRAM平均容量将超过7GB。”邰炜指出。

AI手机也将成为手机的新热点，16G的 DRAM将是AI手机的最低配置，将有力的推动手机存储的再次升级。

与AI手机对存储的带动一样，AI PC预计将在2024年爆发。可以支持本地话AI模型的AI PC，需要更快的数据传输速度、更大的存储容量和带宽。

QLC全场景应用加速，AI PC今年或全面爆发

邰炜提到了存储市场在技术、产品、市场上的几大机遇。

首先在NAND FLASH堆叠技术上，各大原厂继续推进更高堆叠的产品，去年各家均推出200层以上的产品，今年已经朝300层推进，意味着闪存产品的容量将继续提高。

从架构上看，键合技术开始逐步进入主流，这种架构的产品随着堆叠层数提升，成本将更具优势，并且这一技术架构可以将更多特性添加到NAND FLASH里。

随着更多的产品对存储的容量需求越来越大，他预计今年QLC的应用将开始加速，除了传统的SSD产品，其他应用领域也将得到全面扩展。

DRAM全面进入EUV时代，各原厂开始推出全新DRAM产品，下一代产品也将在这1、2年出现。

从产品上来看，以ChatGPT为代表的生成式AI推动下，AI服务器在2023年迅猛增长，也带动HBM、DDR5需求增加，各大原厂加速推出更为先进的产品竞争巨大的利润空间。

目前存储市场最核心的应用在手机、PC和服务器上，此外以汽车为代表的新兴市场也在快速增加。

在手机市场，UFS的市场占有率进一步提升并占据绝对的主导地位。尤其是更高性能的UFS4.0增长更为明显。在容量上，现在高端机型已经基本上进入512GB以及TB时代，预计今年的手机平均容量将超过200GB，今年预计全年DRAM平均容量将超过7GB。

AI手机将成为接下来手机的新热点，将带来更多应用和场景的变革，其中16GB DRAM将是AI手机的最低配置。

在PC市场上，去年整机需求下降使得消费类SSD需求出现一定下滑，但随着存储价格的下跌，大容量SSD的高性价比得到非常有效的体现，去年1TB PCIe 4.0已基本成为PC市场主流配置。

随着新处理器平台的导入，DDR5在2024年也将加大在PC上的应用。同时，AI PC预计在2024年全面爆发。其中，与传统PC不同，AI PC最重要的是嵌入了AI芯片，形成“CPU+GPU+NPU”的异构方案，可以支持本地化AI模型，所以需要更快的数据传输速度、更大的存储容量和带宽。

服务器市场上，2024年是DDR5正式迈过50%的一年，同时DDR5平台第二代CPU都在今年发布，这会推动今年下半年5600速率进入主流；同时高容量的模组128GB/256GB产品，因为大模型出现2023年需求猛增。

此外，去年最火的名词莫过于HBM，HBM占据极大的利润空间，也是各原厂的必争之地。根据各原厂的规划，2024年将正式进入到HBM3E量产。

随着大模型的快速爆发，加速了对AI服务器需求，AI服务器中搭载高容量HBM，以及对DDR5的容量需求是普通服务器的2-4倍。这将使得未来5年AI服务器将驱动DRAM需求大增。

汽车作为下一个存储的主力应用也正发生着变化：汽车随着电动化趋势发展进入大模块化、中央集成化时代；伴随着L3级及以上自动驾驶汽车逐步落地，汽车对存储的性能和容量的要求也将急剧加大。

存储巨头Allin，抢占AI存储芯片新兴市场

三大存储芯片巨头分别瞄准不同的细分赛道,展开了一场"Allin"的布局竞赛。它们无不渴望在人工智能浪潮中分一杯羹,并为此壮士断腕般地调整业务重心、加大研发投入。

对于西数、锐凯和铠侠等企业而言,他们之所以孤注一掷般押注AI存储芯片,主要出于两大动机一是抢占这一新兴蓝海市场,二是寻求传统业务的转型曲线。

第一,AI存储芯片市场正处于高速增长期。据研究公司Gartner预测,到2027年,全球AI软硬件总支出将达到2070亿美元,其中数据存储支出占比将达到10%以上。因此,存储芯片厂商自然不愿在这个蛋糕上错失机会。

第二,传统存储芯片市场的增长正在放缓。以西数为例,公司近年来一直受制于个人计算机和手机存储芯片市场的低迷状态。而通过转型AI存储业务,它们有望开启新的利润增长点。

因此,西数、锐凯和铠侠三家公司决定通过"Allin"大手笔投资,提前抢占AI存储芯片市场的先机。它们期望在这一新兴市场取得领先地位,树立技术和规模壁垒,从而为未来几年的增长奠定坚实基础。

然而,在抢滩登陆AI存储芯片市场的道路上,存储芯片商也将面临诸多挑战和考验。首当其冲的,便是可能出现的产能过剩风险。存储芯片产业向来具有较强的周期性,供过于求的局面时有发生。

目前,三家公司都计划大幅扩充产能,这将进一步加剧供给侧压力。如果AI存储芯片需求未如预期那般快速放量,产能过剩的风险将更加严峻。届时,企业将不得不承受沉重的资本开支和运营成本负担。

此外,技术路线的选择也是一大挑战。存储芯片要满足AI对超高容量、超高速度、超高可靠性等多重需求,技术复杂度之高前所未有。西数、锐凯和铠侠在NAND闪存、3D堆栈、Optane等技术路线上的优先级和投资取舍,将直接关系到它们在AI存储芯片赛道上的未来表现。

因此,业内人士普遍认为,尽管抢占AI存储芯片市场机遇诱人,但存储芯片商想要成功"Allin"并非易事。它们需要缜密规划,做好充分的准备,以应对技术和市场的双重挑战。