2023年除了中国芯片大举替代进口之外，在芯片设备行业也在加快国产替代，业界预估2023年中国芯片制造行业除了光刻机之外，其他芯片设备的国产替代率已超过三成，而且这种替代趋势将不可逆转。

这几年美国除了在芯片方面限制对中国供应之外，在芯片设备方面也多方阻挠，其中最为人所熟知的当属光刻机，美国先是阻止EUV光刻机卖给中国企业，后来又阻止14纳米以下的DUV光刻机，再之后连28纳米以下的光刻机也不行了。

后来美国又拉拢日本，日本也极为积极，限制了23种芯片设备和材料对中国出口，试图借此卡住中国在芯片制造方面的发展，借此扼杀中国芯片，然而中国芯片设备行业却迎来了几年的快速增长期。

中国在刻蚀机、光刻胶、封装等方面都已达到5纳米，这是中国进展最快的芯片制造环节，这些相关的企业这几年也取得了年增50%乃至翻倍的业绩，凸显出国内芯片制造企业大举采购国产芯片设备和材料。

如今中国在芯片制造方面最后一个技术难关就是光刻机，毕竟光刻机极为复杂，还需要诸多产业链企业配合，ASML制造的EUV光刻机就需要全球5000家企业配合，不过这几年哈工大、上海微电子等研发机构或企业在联合攻关，陆续取得了一些关键技术的突破，假以时日，可以实现7纳米工艺的浸润式光刻机将必然被攻破。

芯片制造逐渐达到瓶颈也为中国芯片设备和材料提供了机会，业界都清楚现有的硅基芯片技术极限就是1纳米，而越接近1纳米，工艺进展就越慢，台积电的3纳米量产就被延迟一年，而且量产之后良率也低至55%，远无法与此前其他几代芯片制造工艺相比。

芯片设备方面也已难以突破，ASML就认为2纳米EUV光刻机将是它最后一代光刻机，它也不知如何进一步突破极限了，这都为中国研发先进的芯片设备和材料提供了时间，由此中国的芯片设备赶上全球先进水平可能性也在加大。

中国芯片行业同时也基于现有的设备开发先进工艺，据称某科技企业的7纳米芯片就是国内芯片行业共同努力的结果，以现有的DUV光刻机量产7纳米工艺，甚至近期有消息指中国基于现有设备已开发出5.5纳米工艺。

除了继续发展硅基芯片技术之外，中国芯片行业正积极发展量子芯片、光子芯片等技术，这些全新的芯片技术所需要的设备都是空白，中国在这些先进芯片设备方面更是与全球站在同一起跑线上，合肥本源量子就指出它研发的量子芯片所有的芯片设备都是自研，这些先进芯片技术一旦商用，中国芯片行业更将完全无需海外的芯片设备。

可以说美国这几年的施压，固然给中国芯片行业带来压力，但是同时也是促进技术发展的动力，在这种巨大的压力下，中国芯片行业这几年迸发出巨大的能量，所取得的进展超过了过去20年间的成就，促进了国产芯片的自立自强。