MOS管根据其耐压值可分为中低压MOS和高压MOS管，高压MOS也是基于场效应管的原理工作，通过控制栅极电压来调节源极和漏极之间的电流。与普通MOS管相比，高压MOS管能承受更高的电压和电流。

通常，高压MOS管具有高电压承受能力、低导通电阻、低开关损耗、高频和开关速度快等特点，在逆变器、适配器、变频器、伺服驱动器、电机驱动、PLC控制器、高性能交流电源、脉冲电源、高压电源、频率调制、开关调节器、功率因数校正装置、电源转换器、LED照明、磁性变压器、继电器、调光器、汽车点火系统、电动车电机控制器等领域中应用广泛。

高压MOS管可用于负载开关、电动机驱动等应用，在电路中起到开关、稳压和放大等作用。高压MOS管是电路中不可或缺的重要元件，它能有效提升电子设备的性能和工作效率。

作为一家专业生产MOS产品的原厂，合科泰对高压MOS产品的研发、生产投入很大，目前，合科泰可以自主生产很多种封装的高压MOS，如采用TO-220封装的4N80/6N80产品，采用TO-252封装的HKTD4N50/HKTD4N65，采用TO-263封装的HKTE180N08，采用PDFN5*6封装的HKTG48N10等产品。合科泰生产的高压MOS稳定、可靠、效率高，目前被众多行业头部客户采用，广泛应用于新能源、汽车、家电和工控等领域。

例如，采用TO-220封装的高压MOS管产品4N60，这款产品采用N沟道制作，最大耐压值达到600V，最大漏极电流达4A，可用于多数的大电压大电流应用场景。漏源导通电阻2.5欧姆。它具有开关时间快、栅极低充电、低导通状态电阻和具有高雪崩击穿等特性。这种高功率MOS通常在高速下使用，如开关电源的应用、PWM电机控制、高效的DC到DC转换器和桥接电路等场景。

合科泰生产的HKTD4N65管子是一款采用N沟道制作的功率MOS管，它具有非常良好的电学性能，最大耐压值达到650V，可满足大多数产品应用。最大栅源电压±30V，最大漏源电流4A，漏源导通电阻RDS(ON)2.22Ω，最小栅极阈值电压2V，最大栅极阈值电压4V，最大耗散功率23.1mW。

合科泰的HKTE180N08采用N沟道制作，具有很好的电学特性。这个产品具有超低的导通电阻，非常适用于高密度的电池应用场景。这款产品的最大漏电流可达180A，耗散功率227W，重量约0.43克，适合于很多大电流应用，如高电流BMS和电机控制场景。这款产品具有非常优异的散热性能和可靠性，HKTE180N08的开关速度快，适合开关电路等应用。

合科泰初创于1992年，是一家专业从事集成电路封装测试和分立器件研发、封测制造、终端销售与服务的高科技创新企业。产品线包括二极管、三极管、MOS管、桥堆、整流管、稳压管、电源管理IC、锂电池保护IC等，产品广泛应用于电源、照明、医疗电子、小家电、智能穿戴、电子烟、通信、安防、仪器、工控、汽车电子等领域。