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绕开日本技术封锁,国产新型光刻胶技术有突破,意义重大
2024-04-09 来源:科技专家
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关键词: 半导体设备 光刻胶 芯片

众所周知,在芯片制造领域,我们落后于全球顶尖水平,同时上游的材料、设备也高度依赖进口,处境很难。


半导体设备领域,美国、日本、欧洲占全球80%以上的份额。半导体材料领域,日本、美国占90%以上的份额。


也正因为如此,所以国产供应链需要不断的努力突破,实现国产替代,否则就会一直卡脖子。


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但国产替代,不仅仅是市场问题,还有着技术问题,专利问题等等,毕竟前面的企业,已经通过各种专利、技术等,将整个生态体系控制在自己手中。


在这样的情况之下, 国产要么在原有的技术上突破,要么换道超车,绕开这些技术封锁。


而近日,有消息传出,具有自主知识产权的光刻胶体系有了突破,绕开了日本的技术封锁。


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九峰山实验室、华中科技大学组成联合研究团队,突破了“双非离子型光酸协同增强响应的化学放大光刻胶”技术,这种技术和现有的光刻胶技术有所不同,通过巧妙的化学结构设计,性能优于大多数商用光刻胶。


目前该技术体系已经在产线上完成了初步工艺验证,并同步完成了各项技术指标的检测优化,实现了从技术开发到成果转化的全链条打通,也就是说离量产已经不远了。


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要知道光刻胶目前对应芯片工艺,分为g线、i线、KrF、ArF、EUV这么5种。而国产光刻机,还处于ArF阶段,最多只达到45nm阶段。


像ArFi这种浸润式光刻胶,EUV光刻胶,我们完全无法生产,只能从日本进口,整个光刻胶市场,总体国产率还不到10%。


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所以这个突破实在是太有意义了,以往我们主要按照日本的路在足,就是不断的进行配方调试,将成百上千的树脂、光酸和添加剂进行排列组合,不断的尝试、验证,调整。


但新的体系,虽然也要如此进行排列组合,要不断的进行调整,但这种技术能够大大的减少这个时间,加快进度,并能够获得更好的效果,同时据称这种技术也能同时为 EUV 光刻胶的着力开发做技术储备。



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