众所周知，在芯片制造领域，我们落后于全球顶尖水平，同时上游的材料、设备也高度依赖进口，处境很难。

半导体设备领域，美国、日本、欧洲占全球80%以上的份额。半导体材料领域，日本、美国占90%以上的份额。

也正因为如此，所以国产供应链需要不断的努力突破，实现国产替代，否则就会一直卡脖子。

但国产替代，不仅仅是市场问题，还有着技术问题，专利问题等等，毕竟前面的企业，已经通过各种专利、技术等，将整个生态体系控制在自己手中。

在这样的情况之下， 国产要么在原有的技术上突破，要么换道超车，绕开这些技术封锁。

而近日，有消息传出，具有自主知识产权的光刻胶体系有了突破，绕开了日本的技术封锁。

九峰山实验室、华中科技大学组成联合研究团队，突破了“双非离子型光酸协同增强响应的化学放大光刻胶”技术，这种技术和现有的光刻胶技术有所不同，通过巧妙的化学结构设计，性能优于大多数商用光刻胶。

目前该技术体系已经在产线上完成了初步工艺验证，并同步完成了各项技术指标的检测优化，实现了从技术开发到成果转化的全链条打通，也就是说离量产已经不远了。

要知道光刻胶目前对应芯片工艺，分为g线、i线、KrF、ArF、EUV这么5种。而国产光刻机，还处于ArF阶段，最多只达到45nm阶段。

像ArFi这种浸润式光刻胶，EUV光刻胶，我们完全无法生产，只能从日本进口，整个光刻胶市场，总体国产率还不到10%。

所以这个突破实在是太有意义了，以往我们主要按照日本的路在足，就是不断的进行配方调试，将成百上千的树脂、光酸和添加剂进行排列组合，不断的尝试、验证，调整。

但新的体系，虽然也要如此进行排列组合，要不断的进行调整，但这种技术能够大大的减少这个时间，加快进度，并能够获得更好的效果，同时据称这种技术也能同时为 EUV 光刻胶的着力开发做技术储备。