随着存储产品价格回升，赛道内企业迎来业绩兑现。4月17日，佰维存储披露2024年第一季度业绩预告，预计报告期内营业收入17亿元至18亿元，同比增长299.54%至323.04%；预计归母净利润1.5亿元至1.8亿元，同比增长219.03%至242.84%。

除佰维存储之外，还有澜起科技、德明利、全志科技等多家存储产业链上市公司已披露2024年第一季度业绩预告，根据预告，这些公司集体迎来业绩爆发，一季度预计归母净利润同比增幅下限均超200%。

TrendForce集邦咨询资深研究副总经理吴雅婷在接受《证券日报》记者采访时表示：“2024年第一季度，存储产品价格环比上涨幅度达到20%左右。接下来的第二季度，价格上涨趋势将延续，具体涨幅有待观察，赛道内企业有望持续受益。”

业绩集体高增

多家存储上市公司在业绩预告中提到，下游市场需求恢复带动业绩高增。

佰维存储方面表示，2023年第四季度以来，存储行业回暖，下游客户需求持续复苏，公司大力拓展国内外一线客户，产品销量同比大幅提升。同时，存储产品价格持续回升，公司经营业绩不断改善。此外，公司在存储解决方案研发、芯片设计、先进封测和测试设备等领域不断加大研发投入，持续增强核心竞争力，2024年第一季度研发费用约为1亿元，同比增长超200%。

全球内存接口芯片龙头澜起科技业绩预告显示，公司预计2024年第一季度营业收入7.37亿元，同比增长75.74%；预计实现归母净利润2.1亿元至2.4亿元，同比增长9.65倍至11.17倍。自今年年初以来，内存接口芯片需求实现恢复性增长，公司部分新产品开始规模出货，推动公司2024年第一季度收入及净利润较上年同期大幅增长。

智帆海岸机构首席顾问、资深产业经济观察家梁振鹏向《证券日报》记者表示：“存储产品价格自2023年第三季度末进入上升通道，行业内上市公司的盈利能力整体得到改善。其中，卡位中高端存储市场的上市公司更有竞争优势，一些公司在最近几个季度陆续走入盈利通道。”


行业周期反转，供需格局优化

原厂减产推动市场反转：存储芯片厂商在2022年四季度启动减产计划，有效缓解了市场供过于求压力。进入2023年下半年，市场需求回暖，原厂持续推动价格上涨，市场预期显著改善。

行业周期步入新起点：存储芯片行业遵循约3-4年的完整周期规律，当前正处于第五轮周期的起点。AI需求激增与数字经济对存储能力的渴求，共同推动存储芯片供需格局持续优化，提前进入复苏周期。

原厂业绩反转，提价意愿强烈：尽管各大原厂业绩环比改善显著，但距离上行周期的盈利水平仍有差距，提价需求强烈。主力存储产品价格有望延续涨势，国内存储厂商业绩已于2023年四季度初现曙光，预计2024年一季度将进一步修复。


存储芯片涨价能否持续？

受全球半导体市场需求下滑的影响，2022年下半年开始铠侠、美光、SK海力士等存储芯片大厂就开始陆续进行了减产，随后三星也在2023年二季度开始了减产，以期改善供需结构，提升业绩。而随着减产效应的显现，以及2023年三季度以来市场需求的回暖，原厂开始纷纷推动DRAM和NAND Flash芯片价格上涨。

此前的报道显示，2023年四季度三星对其DRAM及NAND Flash芯片报价都上调了10%至20%。研究机构TrendForce的数据显示，2024年第一季NAND Flash合约价环比涨幅约15%~20%，并预计NAND Flash第二季度的合约价格将会继续上涨13~18%。美光公布的财报显示，其截至2024年2月29日第二财季的DRAM平均价格上涨了10%，NAND Flash的平均价格涨幅更是超过了30%。

根据相关原厂最新公布的一季度业绩也显示，受益存储芯片价格上涨，营收及利润均出现了大逆转。

美光截至2024年2月29日的2024财年第二季财报显示，该季营收同比大涨58%（环比增长23%）至58亿美元，GAAP(依照公认会计准则)净利润为7.93亿美元，Non-GAAP净利润为4.76亿美元，实现扭亏为盈。

三星电子公布的2024年第一季度初步业绩显示，该季度三星电子实现营业利润约为6.6万亿韩元（约合353.76亿元人民币），同比暴涨931.25%，结束了自2022年第三季度以来连续六个季度的下滑，甚至将超过2023年全年营业利润（6.57万亿韩元）。

但是从美光财报的具体表现来看，其DRAM和NAND Flash价格都出现了大幅的上涨，但是仅有DRAM出货量存在个位数百分比的增长，NAND Flash的出货量却出现了低个位数百分比的下降。显然，这一轮的存储芯片涨价潮主要还是原厂主动减产和强势涨价推动下所导致的，并不是由于市场需求持续增长所带动的。这也给后续的涨价能否维持带来了不确定性。

据韩国媒体《朝鲜日报》报道，三星电子今年一季度在韩国平泽和中国西安NAND Flash闪存生产线的晶圆投片量，相较上一季将提升了约30%。但是，三星方面对进一步的增产仍然保持谨慎态度，希望避免影响到NAND Flash的价格涨势。目前三星内部对今年第二到四季的单季晶圆投片量均设下了120万片的上限（总产能200万片），这代表着其整体产能利用率只维持在60%以下。同样SK海力士也已经设定了每季度约60万片的NAND Flash晶圆投片量的上限，整体产能利用率也在50%~60%左右。

显然，从上游存储芯片原厂对于今年产能控产的趋势来看，他们对于今年市场对于存储芯片整体实际需求增长的预期并不乐观。依然是希望靠着控制供给来维持涨价。

对于存储芯片原厂下游的模组厂商来说，存储芯片原厂推动价格上涨会直接传到他们身上，使得他们的成本上升，而为了转嫁成本上涨压力，存储模组厂商必然需要对下游的终端客户也进行涨价。

但是，目前虽然企业级储存及云端服务器应用的需求不错，特别是AI带动了对于HBM、LPDDR5的需求，但消费类及其他应用市场的对于DRAM和NAND Flash需求却并不稳定，只能说是刚刚回暖，存储芯片的价格涨幅远高于市场（特别是消费类市场）需求的增长。所以，对于下游的终端客户来说，如果市场实际需求并不那么旺盛，可能是不愿意接受大幅涨价的，这也会在一定程度上抑制客户端的需求。

所以，对于存储模组厂商来说，其将会夹在上游的存储芯片原厂要求涨价、以及下游的大客户抵抗涨价之间，两头承压，毕竟存储模组厂商不论是对上游的存储芯片原厂，还是对下游的大客户，都缺乏足够的议价权。


中国存储芯片行情不容乐观

对于中国来说，存储芯片的价格上涨并不是一个好消息。众所周知，中国是一个芯片进口大国。在2022年，中国买走了全球30%的存储芯片，超过1000亿美元。

其中大约430亿美元的芯片用在中国自己的产品身上，而剩下的芯片则被装配在了HP、DELL、苹果等国外品牌产品中。

而按照目前存储芯片的涨幅趋势来看，2024年，在购买同样数量芯片的情况下，中方企业至少要多出500亿美元的资金，换算成人民币已经接近3600亿元，可以说之所以要出这笔“冤枉钱”，就是我国为自研能力不足所付出的代价。

而之所以形成这种情况，并不是我国的企业对科研不热衷或者投入不够，而是因为美国想要收割中国，就不能让中国在技术上有所突破。

其实自2022年下半年起，中国芯片行业尤其在存储芯片领域就已经取得显著突破，当时中国率先实现了全球最先进的232层NAND flash芯片的量产，这一成就打破了美日韩长期以来在存储芯片市场的垄断地位。

而面对中国存储芯片技术的快速进步，美国等国家开始采用各种手段限制中国的技术发展。这包括限制向中国出口关键的半导体制造设备，以及限制向中国出口高性能的芯片，从而对中国存储芯片企业的技术发展构成阻碍。

在这种外部压力下，中国的存储芯片研发进度相对放缓，而美日韩的企业则加快了自己的技术研发步伐。

到2023年，中国存储芯片企业的技术发展仍然停留在232层NAND flash上，而此时，美日韩的存储芯片企业已经宣布成功研发出300层以上的NAND flash存储芯片。而美、日等国家就是依靠这种技术优势建立了定价权，而中国企业能做的只有“乖乖掏钱”。

在这种关键时候，像长江存储这种行业龙头企业，应该发挥其自身的技术优势，改变这种被动的局面。

长江存储，作为中国自主研发的存储芯片生产企业，拥有突破外部限制、提升国内产业链自给自足能力的关键机遇。面对当前的市场形势，长江存储等国内企业应采取哪些策略来应对呢？

长江存储应该加大技术研发投入，缩小与国际领先企业的技术差距，特别是在NAND flash等关键领域，争取在下一个技术更迭周期中取得领先。

中国企业在2022年下半年就实现了232层NAND flash芯片的量产，这表明中国在高端存储技术领域具备突破的潜力。只是被美国采取的封锁政策“封印”住了实力而已。

而要打破美国的封锁，就要增强供应链的稳定性和自主可控能力，通过多元化策略减少对单一国家或地区的依赖。面对外部压力，寻求国内外合作伙伴，共同构建更加坚韧的供应链体系。

除了企业自身的努力，国家层面和企业层面应同步推进，不仅加强芯片产业的战略规划和政策支持，同时鼓励企业间的合作与整合，提升整个产业链的竞争力和影响力。