AI热潮爆红，两大记忆体韩厂布局HBM战局，展开产业结盟赛局。符世旻摄

AI热潮持续加温，HBM成为三大记忆体原厂扭转产业局势的新战场，SK海力士（SK Hynix）在HBM领域先驰得点，不仅囊括NVIDIA的AI大订单，并与台积电携手下世代HBM4技术。

据传，在日前三星电子（Samsung Electronics）CEO庆桂显率领高阶主管拜会台系AI供应链之际，SK海力士高层也低调前来台湾，与台积电签定技术开发合作备忘录，儘管HBM4预计2026年进入量产，然而AI产业结盟赛局已提前展开。

SK海力士宣布，与台积电建立策略伙伴关係，双方将合作开发第六代HBM4产品。业界指出，过去SK海力士与台积电合作关係密切，三星电子虽然在HBM发展脚步较为落后，但近来集团正卯起全力急起直追。

虽然产业竞合变化快速，但“敌人的敌人就是朋友”，SK海力士为了确保HBM维持领先地位，进一步与台积电在技术开发建立紧密互动。

值得注意的是，日前三星CEO庆桂显大阵仗来台，不仅寻找伙伴扩大合作，更为了寻求台积电在HBM配合支持，韩媒当时即有消息指出，SK海力士与台积电的合作备忘录在近日内于台北敲定，但SK海力士对此不愿多做评论。

台系供应链私下透露，两家韩厂来台的时间非常接近，由于SK海力士与台积电签署的合作备忘录，为双方首次建立技术开发的合作关係，不料两家韩厂高层却一前一后找上台积电。

在三星来台行程意外曝光后，引发彼此较劲的微妙互动，不同的是，SK海力士高层是专门为了HBM前来，此次行程鲜少为外界所知。

根据规划，SK海力士与台积电将针对搭载HBM封装内最底层的基础裸晶（Base Die）进行性能改善，由于HBM是将多个DRAM裸晶（Core Die）堆叠在基础裸片上，藉由TSV技术进行垂直连接而成，而基础裸片也连接至GPU，对HBM具有控制的作用。

随著HBM4的堆叠容量增加及频宽提升，双方合作从原本后段封装扩大及深化，基于HBM后端封装设计与基础裸晶的通道共用，经由台积电在逻辑先进制程工艺，进行双方技术的共同开发，将能在性能和功效等部分，达到客制化（Customized）HBM的优势。

为了加速HBM版图拓广，虽然三星希望与台积电建立友好的互动，但三星内部同时也在规划提供“一站式服务”，从HBM制造后、2.5D封装的“I-Cube”，以及自家AI加速器晶片Mach-1的推出等。

供应链分析，三星半导体希望透过结合旗下晶圆代工与记忆体的搭配发展，以达到更大整合效益，若在此路线发展下，SK海力士与台积电的整合结盟更能符合双方长远利益。

儘管SK海力士仍稳坐全球HBM市佔冠军，也是NVIDIA最主要的HBM供应商，但面对三星来势汹汹的挑战，SK海力士也不敢掉以轻心。

根据业界估计，HBM4完整规格将在2024~2025年由 JEDEC发布，预计2026年推出量产，但透过拉拢台积电成为最强半导体盟友，强强联手效应显现，未来SK海力士抢下HBM4先机将可望稳操胜算。