超赫科技制造高线性功率放大器，兼顾通讯品质与节能。超赫科技
超赫科技作为无线通讯器件领域技术开发者，著重于功率放大器半导体元件优化，主要使用三五族化合物半导体的电晶体，包括氮化镓HEMT（GaN HEMT）、砷化镓pHEMT（GaAs pHEMT），已于产业技术瓶颈上有重大突破。过去在无线通讯领域中，精准的讯号传递与高效率、节能省电背道而驰，无法两全其美，最根本的解决之道即是提升用于设计功率放大器之功率元件的线性度。
高线性的功率放大器是许多高资料传输速率无线通讯系统与应用的关键零组件，用以维持精准的讯号传输，对于不失真的讯号放大与传输非常重要，此外亦可达到高资料传输速度、延长电池使用时间、节能省电、避免系统过热及降低成本，对于IC设计工程师来说则相对友善，可用更小的元件来达到目标规格。
高线性的功率电晶体系统与应用包含无线射频通讯系统、广播、测试与量测设备、医疗影象系统、工业测试仪器与控制系统、太空与国防系统。任何需要精准讯号传输、放大的系统或应用，皆需将高线性的功率电晶体视为极为重要的元件，这些元件在广泛的工业与科技应用中，可维持讯号完整且受最小干扰。
过去产业制造的功率放大器线性度较差，然而超赫科技具功率元件设计能力，从磊晶结构著手，考量产业需求与材料物理特性，设计出有别于过去的特殊磊晶结构，依此特殊磊晶结构制造出来的功率元件，因线性度高，对放大后的射频讯号不会产生三阶互调干扰。
超赫科技的氮化镓HEMT（GaN HEMT）功率放大器元件，在操作频率28GHz、Class A的条件下，可测得的量测结果OIP3-OP1dB为15 -19 dBm，与目前已发表且最佳之量测结果OIP3-OP1dB为12 dBm相比，可得知超赫科技的功率放大器元件线性度相当高。这表示超赫科技的功率元件在误差向量幅度、输出功率、功率转换效率、增益等表现上都更为出色，为5G毫米波、Sub 6 GHz、固定无线宽频、Ku频段卫星与Ka频段卫星、WiFi 6E、WiFi 7、雷达等通讯设备带来更强大的效能。
超赫科技设计的特殊磊晶结构已专利布局海内外7个国家。其中，中华民国之专利申请案已取得专利证书，其他6个国家之专利申请案皆已进入最后审查阶段，获取专利证书指日可待。除海内外专利布局以外，超赫科技亦携手国内外三五族半导体大厂，导入所研发的特殊磊晶与制程，未来也将持续扩大合作技术范畴，让更多厂商一同参与，共同创造产业共存共荣，并迈向通讯领域的下一个时代。
