根据韩媒 Bridge Economy 报道，三星和 AMD 公司签署了价值 4 万亿韩元（备注：当前约 210.8 亿元人民币）的 HBM3E 供货合同。

报道称三星和 AMD 签署的这份合同中，AMD 采购三星的 HBM，而作为交换三星会采购 AMD 的 AI 加速卡，但具体换购数量目前尚不清楚。

三星日前表示将于今年上半年量产 HBM3E 12H 内存，而 AMD 预估将会在今年下半年开始量产相关的 AI 加速卡。

三星 HBM3E 12H 支持全天候最高带宽达 1280GB/s，产品容量也达到了 36GB。相比三星 8 层堆叠的 HBM3 8H，HBM3E 12H 在带宽和容量上提升超过 50%。

HBM3E 12H 采用了热压非导电薄膜（TC NCF）技术，使得 12 层和 8 层堆叠产品的高度保持一致，以满足当前 HBM 封装的要求。因为行业正在寻找缓解薄片带来的芯片弯曲问题，这项技术将在更高的堆叠中带来更多益处。

三星一直在努力降低其非导电薄膜（NCF）材料的厚度，并实现芯片之间的间隙最小化至 7 微米（µm），同时消除了层与层之间的空隙。这些努力使其 HBM3E 12H 产品的垂直密度比其 HBM3 8H 产品提高了 20% 以上。