氮化镓（GaN）功率半导体供应商Transphorm, Inc.与适配器USB PD控制器IC的Weltrend Semiconductor Inc.（伟诠电子）宣布推出两款新型系统级封装氮化镓器件（SiP），与2023年推出的伟诠电子旗舰氮化镓SiP一起，组成首个基于Transphorm SuperGaN平台的系统级封装氮化镓产品系列。

新推出的两款SiP器件型号分别为WT7162RHUG24B和WT7162RHUG24C，集成了伟诠电子的高频多模（准谐振/穀底开关）反激式PWM控制器和Transphorm的150毫欧和480毫欧SuperGaN FET。与上一款240毫欧器件（WT7162RHUG24A）相同，两款新的器件与USB PD或可程式设计电源适配器控制器配对即可提供整体适配器解决方案。值得注意的是，它们还可提供更多创新功能，包括UHV穀底跟踪充电模式、自我调整OCP补偿和自我调整绿色模式控制等，使客户能够使用更少的器件、最精简的设计方案，更快地设计出高品质的电源产品。

伟诠电子市场推广副总裁Wayne Lo表示，2023年推出首款SiP氮化镓器件，这是伟诠电子发展历程中的一个重要里程碑。对于AC-DC电源产品市场，SiP氮化镓器件代表了一种全新的进入市场策略。日前发布的新产品表明，将继续为该应用领域提供更多的器件选择，支援更广泛的产品功率级。基于Transphorm SuperGaN平台并採用整体封装解决方案，可以为从30瓦低功率USB-C PD电源适配器到接近200瓦功率充电器的各种装置提供更易设计的高效能电源，这是 Transphorm氮化镓器件的独特之处。

终端产品制造商想方设法开发物料（BOM）成本更低、但同时又具备灵活、快速充电、和更高功率输出的新型适配器。此外，针对许多应用场景，制造商还希望提供具有多个埠和/或多种连接类型的更为通用的充电器。而所有这些方案，产品外形都要做到更小、更轻。

Transphorm常闭型d-mode SuperGaN 技术平台的主要优势包括：同类最佳的稳固性（+/-20V的栅极裕度和4V的抗扰性）及可靠性（FIT失效率<0.05），且功率密度比硅器件高50%。伟诠电子精简的SiP设计，利用了上述GaN器件优势以及自身的创新技术，打造出一款近乎随插即用的解决方案，缩小外形尺寸的同时，加快设计速度。

Transphorm全球销售及FAE副总裁Tushar Dhayagude表示，从适配器和充电器制造商的需求考虑，SiP可以成为重要的器件选项。不仅能满足系统电源转换效率的要求，而且功能集成，器件更易使用，从而在最短的时间内可设计出产品。伟诠电子此前推出的零件验证了SuperGaN SiP的效能和灵活性。本次发布新款器件，表明了我们两家公司在深化并实践为客户提供更多选择的承诺。