据TrendForce集邦咨询研究，三大原厂开始提高先进制程的投片，继存储器合约价翻扬后，公司资金投入开始增加，产能提升将集中在今年下半年，预期1alpha nm（含）以上投片至年底将占DRAM总投片比重约40%。其中，HBM由于获利表现佳，加上需求持续看增，故生产顺序最优先。但受限于良率仅约50~60%，且晶圆面积相较DRAM产品，放大逾60%，意即所占投片比重高。以各家TSV产能来看，至年底HBM将占先进制程比重35%，其余则用以生产LPDDR5(X)与DDR5产品。

以HBM最新发展进度来看，TrendForce集邦咨询表示，今年HBM3e将是市场主流，集中在今年下半年出货。目前SK海力士（SK hynix）依旧是主要供应商，与美光（Micron）均采用1beta nm制程，两家业者现已正式出货给英伟达（NVIDIA）；三星（Samsung）则采用1alpha nm制程，预期今年第二季完成验证，于年中开始交付。

预期今年DDR5、LPDDR5(X)渗透率增加，将消耗更多先进制程产能

除了HBM需求占比持续增加，PC、服务器、智能手机三大应用单机搭载容量增长，故对于先进制程的消耗量也逐季提升，其中又以服务器的容量提升最高，主要受惠于单机搭载容量1.75TB的AI服务器所带动。而随着Intel、AMD新平台Sapphire Rapids、Genoa量产后，其存储器规格仅能采用DDR5，预期今年DDR5渗透率至年底将逾50%。

与此同时，由于HBM3e出货将集中在今年下半年，期间同属存储器需求旺季，DDR5与LPDDR5(X)市场预期需求也将看增。但受到2023年亏损压力影响，原厂产能扩张计划也较谨慎。整体而言，在HBM投片比重扩大的情况下，将使得先进制程产出有限，下半年产能配置将是供给是否充足的关键。


受到HBM产能排挤，若先进制程产能扩张不足，DRAM产品恐面临供不应求

目前新厂规划如下，三星现有厂房2024年底产能大致满载，新厂房P4L规划于2025年完工，同时Line15厂区将进行制程转换，由1Ynm转换至1beta nm以上。SK海力士除了M16明年产能预计扩大，M15X同样亦规划于2025年完工，并于明年底量产。美光台湾地区厂区将于明年恢复至满载，后续产能扩张将以美国厂为主，Boise厂区预期于2025年完工并陆续移机，并计划于2026年量产。

TrendForce集邦咨询表示，尽管三大原厂的新厂将于2025年完工，但部分厂房后续的量产时程尚未有明确规划，需依赖2024年的获利，才得以持续扩大采购机台，这也进一步推动三大原厂坚守存储器价格今年涨势。除此之外，由于NVIDIA GB200将于2025年放量，其规格为HBM3e 192/384GB，预期HBM产出将接近翻倍，且紧接各原厂将迎来HBM4研发，若投资没有明显扩大，因各家产能规划皆以HBM为优先，在产能排挤的效应之下，DRAM产品恐有供应不及的可能性。


2024年，存储行业步入上行周期

眼下存储芯片最核心的三大应用市场，即手机、PC和服务器，已基本突破了“黑暗期”。同时，以智能汽车、AI为代表的新兴市场的兴起，将在未来推动存储产业的需求进一步增加。

从行业角度看，根据TrendForce预测数据，不论是DRAM还是NAND Flash，2024年的整体存储合约均价有望呈现逐季上涨态势，同时通过观察以三星、SK海力士为代表的头部存储厂商近期业绩的环比改善变化，存储行业有望在2024年步入上行周期。

有业内人士表示，去年三、四季度是存储大厂减产限制供应所带动的涨价；而如今涨价主要是因为新需求增加所带动的，接下来延续涨价没有悬念。

此前韩国公布今年3月份芯片出口额年增35.7%，达到117亿美元，创下2022年3月以来的最佳单月表现。这一数据也显示出，目前半导体市场在经历低谷之后，已经开始逐步反弹。

TrendForce集邦咨询的统计显示，今年一季度DRAM芯片价格较前一季度增加约20%，而NAND Flash芯片价格涨幅在23%-28%之间。展望第二季度，TrendForce预估DRAM合约价季涨幅将为3%-8%；预估第二季NAND Flash合约价季涨13%-18%。

调研机构Yole也表示，2024年DRAM市场“前景光明”，这是因为工厂利用率较低，制造商库存已经正常化，供需平衡已经建立。

数据中心对人工智能加速器的需求持续增长，也推动了对HBM的需求增加，HBM的平均售价约为DRAM整体平均售价的六倍。数据中心和服务器是DRAM需求最大的市场，约占2023年DRAM出货量的50%。随着HBM和CXL等新技术的建立，对数据中心的需求预计将进一步增长。此外，受COVID-19大流行期间购买替换PC的需求以及支持生成式AI的新型智能手机的需求的推动，消费设备对DRAM的需求也在增加。

Yole预计NAND市场将在2024年复苏。随着个人电脑和高端智能手机融入新一代人工智能技术，消费电子产品的需求将会增加，数据中心对固态硬盘的需求预计也会增加。制造商的过剩库存将通过利用率管理得到消除，市场将出现轻微供应不足的情况，预计2024年全年产品价格将上涨。受此影响，下半年行业整体营业利润率或将转正。

可见，存储市场迎来了第二个春天。


三大巨头垄断市场

国产替代任重而道远

在经历了2023年最低谷之后，2024年的存储芯片迎来了曙光，事实上这个反转在2023年4季度就开始了，那一个季度，DRAM、NAND就涨了15-20%左右。

而2024年一季度，也涨了10-15%左右，于是各大存储芯片厂，一季度业绩大增。

比如三星，其业绩预告，一季度营业利润将增长931%，为何增长这么多，原因就是存储芯片价格大涨。

再看SK海力士，一季度营收12.4296万亿韩元，同比增长了144.3%，营业利润2.886万亿韩元（151.8036亿元人民币），而去年同期是亏损3.4023万亿韩元。

再看美光，第一财报（截止于2月29日），营收58亿美元，同比大涨58%，环比增长23%。

而这三大厂，合计拿下了全球80%以上的DRAM+NAND市场的份额，基本上代表的就是整个存储芯片市场了。所以说，存储芯片在经历了一年多惨烈的下滑之后， 终于恢复上涨，活过来了，而预计接下来还会继续涨，2024年内有望再涨30%-50%。

而这一波上涨，韩国肯定是最兴奋的，因为韩国三星、SK海力士这两大厂商就拿下了全球60%以上的份额，一旦存储芯片上涨，自然赚的最多。韩国之后才是美国、日本……

而中国自然是最受伤的，因为中国的存储芯片自给率不足10%，90%以上要靠进口，每年进口存储芯片的金额超过1000亿美元。

只要存储芯片涨40%，每年就要多付出400亿美元的进口金额，这就是近3000亿，要是涨50%，60%呢？自然付的就更多，受伤更严重了，所以国产存储芯片要加油，目前国产存储芯片的市场份额只有5%左右，还有巨大的提升空间。