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虽然存储市场行情回温,但国内HBM技术仍被制约
2024-05-24 来源:贤集网
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关键词: 存储芯片 三星电子 人工智能

在经历下行周期后,2023年第四季度开始,存储价格开始止跌回暖,且从各大厂商公布的最新营收来看,存储芯片市场回温信号正逐渐凸显。


厂商业绩释放回温信号

从国际大厂来看,此前铠侠、SK海力士、三星、美光、西部数据等公布的最新财报数据显示,在AI需求加持下,各大厂商营收和利润均表现亮眼。



其中,铠侠、美光和西部数据均实现扭亏为盈,铠侠2023财年第四季度财报实现营业利润439亿日元、净利润103亿日元;美光2024财年二财季GAAP净利润为7.93亿美元;西数今年一季度在Non-GAAP会计准则下,净利润为2.10亿美元。而三星的存储业务在今年一季度实现营收17.49万亿韩元,同比增长96.1%;SK海力士自去年第四季度实现扭亏为盈,今年一季度的营业利润为2.886万亿韩元,创下2018年以来同期第二高记录。

国内方面,近期,A股存储板块上市公司澜起科技、兆易创新、江波龙、佰维存储、普冉股份、德明利等陆续披露2024年一季度报告显示,多家公司一季度业绩实现大幅增长。其中,澜起科技今年一季度实现净利润2.23亿元,同比暴增1032.86%,此外,德明利、佰维存储在当季的净利润也分别同比大涨546.49%和232.97%。


两大巨头对增产持保守态度

韩媒 Bussinesskorea 报道称,三星电子、SK 海力士目前对于增产通用存储芯片持保守态度。

8Gb DDR4 DRAM 通用内存的合约价在四月份环比上涨了 17%,但面向闪存盘等便携存储设备的 128Gb(16Gx8)MLC 通用闪存的价格却按兵不动。

这主要是因为四月初的台湾地区地震影响了美光内存产能,短时间内推动通用内存需求走高。整体来看通用存储芯片的需求并未真正复苏,下游企业仍持有相当数量的库存。

另一方面,国际地缘政治局势目前处于不稳定状态。近期中东地区局势紧张,美国大选年也对全球贸易带来额外的不稳定因素,两重影响交织下通用存储芯片需求的可见度已然降低。

此外,AI 热潮下 HBM 内存需求旺盛,而 HBM 的晶圆消耗量是通用 DRAM 的 2~3 倍。在三星电子、SK 海力士积极扩产 HBM 的背景下,通用 DRAM 的晶圆投片量势必得到抑制。

今年下半年将迎来苹果 iPhone 16 系列、三星 Galaxy Z 系列等重磅智能手机的发布,报道预测这波新机潮有望成为原厂增产标准存储芯片的契机。


高价值芯片仍然供不应求

人工智能浪潮正在席卷全球,大型语言模型、生成式AI等新兴技术对算力需求呈现爆发式增长。作为AI算力的重要支撑,高性能存储芯片需求也随之大幅攀升。存储芯片龙头企业敏锐捕捉到这一趋势,纷纷加大高端存储产品的扩产力度。

三星电子和SK海力士凭借在HBM等高价值存储芯片领域的领先地位,将是最大赢家。HBM凭借高带宽、高能效等优势,广泛应用于AI训练和推理等算力密集型场景。三星电子预计,2024年HBM芯片产量将比2023年增长2.9倍,高于年初预测的2.4倍增速。三星还与AMD签署了价值4万亿韩元的HBM3E供货合同,进一步扩大HBM市场份额。

在HBM领域,三星电子的主要竞争对手是SK海力士。作为HBM技术的领先者,SK海力士正大力扩充HBM等高性能存储产品的产能。该公司计划投资约38.6亿美元,在韩国忠清北道清州建造新的M15X晶圆厂,作为DRAM存储芯片的新生产基地。SK海力士还将在美国投资约40亿美元,建立大型芯片先进封装工厂,以满足HBM等高端存储产品的需求。

除了HBM,三星和海力士在DDR5等其他高端存储产品领域也将加大投入。DDR5相比上一代DDR4,传输速率提高了1.87倍,能效提升39%,非常适合AI算力密集型应用场景。预计未来几年,DDR5将成为主流存储器类型,三星和海力士都将从中获益。

与三星、海力士相比,美光科技在HBM市场上暂时落后。美光正在加快HBM3e等新品上市步伐,力图在下一代HBM市场重新夺回主导权。2024年,美光的资本开支将主要用于HBM量产和下代产品研发,以期赢得Nvidia等大客户的订单。

存储芯片产能的扩张必将带动对相关制造设备的需求增长,这为设备供应商带来重大机遇。在先进封装设备领域,HBM堆叠工艺对封装材料提出了更高要求,高导热、低填充粘度球形氧化铝粉等材料需求将大幅增加,国内厂商有望实现进口替代。三星、SK海力士等扩大资本开支,对晶圆加工、光刻蚀刻等设备需求也将增长,国产设备企业迎来发展良机。



国产HBM产业链的突破之路

尽管面临重重挑战,但国内企业并未放弃在HBM产业链上的突破努力。随着人工智能浪潮的不断推进,以及国家对于存储芯片自主可控的战略需求,HBM芯片无疑将成为未来竞争的必争之地。

近年来,国内存储芯片企业纷纷加大了HBM技术的研发投入。以长江存储为例,该公司已经开发出了基于28nm工艺的HBM2E产品,并计划在2024年实现量产。虽然与三星等国际巨头相比,工艺制程和性能指标仍有一定差距,但这无疑是国产HBM芯片迈出的关键一步。

国内企业也在加速布局HBM产业链的上下游环节。除了雅克科技在材料领域的布局外,中微半导体、华润上华等公司也在积极开发HBM芯片的关键设备和工艺技术,以期实现自主可控。

值得关注的是,在政策扶持方面,国家也给予了HBM产业链以大力支持。从集成电路、新型存储等国家重大专项,到地方政府出台的各种优惠政策,都为国产HBM芯片企业的发展注入了强劲动力。



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