近日，中央网信办、市场监管总局、工业和信息化部联合印发《信息化标准建设行动计划（2024—2027年）》（以下简称《行动计划》）

《行动计划》提到，要推进关键信息技术、数字基础设施、数据资源、产业数字化、信息惠民、数字文化及数字化绿色化协同发展等8个重点领域的标准研制，并且围绕上述领域作出了22项工作部署。

例如在关键信息技术领域，《行动计划》指出，要强化通用技术标准研制。加快基础软件标准研制，完善服务器、桌面、移动等通用操作系统及工业操作系统、新型操作系统等操作系统标准，研制关系型、图形等数据库标准，推进新型应用服务器、消息、缓存、数据存储等中间件标准制定。

同时围绕集成电路关键领域，加大先进计算芯片、新型存储芯片关键技术标准攻关，推进人工智能芯片、车用芯片、消费电子用芯片等应用标准研制。《行动计划》还指出，要布局新兴技术领域标准。完善人工智能标准，强化通用性、基础性、伦理、安全、隐私等标准研制。加快推进大模型、生成式人工智能标准研制。


存储大厂业绩加速回暖

随着手机、PC及服务器等行业市场需求的逐渐复苏，加上存储原厂产能削减措施的逐步实施，部分大类存储产品的价格已触底反弹，步入上升通道。

涨价潮令上游存储大厂业绩加速回暖。


三星电子：利润暴增931.3%，创历史最高

在行业复苏的背景下，三星电子凭借其在内存芯片市场的领先地位，实现了营业利润的暴涨，为行业带来强烈的震动。

4月5日，三星电子表示，随着芯片价格反弹，预计第一季度营业利润将增长931%。（三星将于4月30日公布包含详细的完整财报）

从三星此次公布的财务预报来看，当季营收约为71万亿韩元，同比上涨11.4%；营业利润大幅上涨至6.6万亿韩元，同比暴增931.3%。

近几个季度以来，存储芯片价格的持续上涨起到了积极作用。早在去年四季度，三星就开始率先对其存储芯片进行了涨价。据此前消息显示，三星在去年四季度对NAND Flash芯片报价上调10%至20%之后，又在今年一季度和二季度再逐季涨价20%，涨价幅度远超乎业界预期。

在涨价的同时，三星还对于NAND Flash和DRAM进行了增产。

NAND方面，三星电子正在提升其位于中国西安NAND Flash闪存厂的产能利用率，目前已恢复到了70%左右。自2023年二季度减产之后，三星西安NAND Flash厂的产能利用率在2023下半年一度滑落至20%~30%的低谷，但是随着2023年四季度市场需求的回暖，三星西安NAND Flash厂的产能利用率也开始逐步回升。

DRAM方面，三星电子的目标是到2024年第四季度晶圆产量达到200万片，比去年的数字增长41%。三星现在的目标是通过提高生产水平来挽回损失的利润，预计未来需求将会增加。

三星电子凭借其先进的生产工艺和庞大的产能规模，成功抓住了市场机遇，实现了业绩的快速增长。其中，内存芯片业务的销售额和利润的大幅增长，成为推动公司整体业绩提升的重要力量。

在日前举行的年度股东大会上，三星预计2024年旗下存储半导体部门销售额有望恢复至2022年的水平，同时还定下了更高的目标——要在两到三年内，重新夺回全球芯片市场第一的位置。

除了芯片周期的回暖，三星还可能在近期迎来更多好消息。

上个月，英伟达CEO黄仁勋暗示，英伟达有意采购三星的HBM芯片。有韩媒爆料称，英伟达最快将从9月开始大量购买三星电子的12层HBM3E。倘若消息落实，这将为三星电子未来的业绩进一步增长带来潜在动力。


美光科技：HBM在2024年销售一空

3月20日，美国存储芯片大厂美光公布了截至2024年2月29日的2024财年第二季财报，美光第二财季受益于DRAM和NAND Flash需求及价格同步上升，该季营收58亿美元，同比大涨58%，环比增长23%。

从具体产品划分收入构成来看，美光第二财季DRAM收入环比增长21%至42亿美元，占总收入的71%。这主要得益于该季DRAM平均价格上涨了10%，出货量也有个位数百分比的增长；第二财季NAND收入环比增长了27%至16亿美元，占美光总收入的27%。

根据此前美光公布的财报数据显示，其第二财季DRAM平均价格上涨了10%；NAND Flash的平均价格涨幅超过了30%。

同时财报也显示，产品涨价带动了美光的整体毛利率提升了19个百分点。据悉，美光在该季营收、毛利率、净利均大超预期，并成功结束连续五个季度的亏损，扭亏为盈。

从各应用领域收入来看，来自数据中心领域的营收增长是最为迅猛，环比增长超过一倍。这主要得益于AI服务器的需求正在推动HBM、DDR5和数据中心SSD的快速增长。这进而也导致了先进的DRAM和NAND的供应处于供不应求当中，对所有存储器和存储终端市场的定价产生了积极的连锁反应。

美光在财报中强调：“我们的HBM在2024年销售一空，2025年的绝大多数供应已经分配完毕。我们继续预计HBM比特份额将在2025年的某个时候与我们的整体DRAM比特份额相等。”

美光预计，接下来每个季度的芯片价格都会上涨，重申2025财年将实现创纪录的收入，云收入也将呈现季度翻倍增长，同时客户的库存已经减少，急需补充新品。

不过需要指出的是，2024财年，美光的业绩增长动力主要还是来自于DRAM和NAND Flash的价格上涨及需求的增长。而HBM所能够为美光带来的营收贡献仍比较有限。

美光最新业绩以及业绩展望数据表明，美光已经熬过整个芯片行业周期的最糟糕时期，并且重新走向盈利模式，AI热潮带来的存储需求激增可谓核心驱动力。

美光首席执行官Sanjay Mehrotra在业绩会议上向投资者承诺，2024年将标志着存储行业大幅反弹，2025年则将达到创纪录的销售额水平。但这也意味着美光需要加大产能制造足够数量的HBM存储，这需要与英伟达等AI芯片厂商紧密合作，帮助数据中心运营商们加快AI基础设施建设步伐以及开发更多的人工智能软件。


SK海力士：率先扭亏为盈

SK海力士是存储巨头中率先实现全公司单季度扭亏的公司。

据财报显示，SK海力士2023财年第四季度结合并收入为11.306万亿韩元，营业利润为0.346万亿韩元，成功实现扭亏为盈。SK海力士仅时隔一年就摆脱了从2022年第四季度以来一直持续的营业亏损。

顺应高性能DRAM需求的增长趋势，SK海力士将顺利进行用于AI的存储器HBM3E的量产和HBM4的研发，同时将DDR5 DRAM和LPDDR5T DRAM等高性能、高容量产品及时供应于服务器和移动端市场。

对于市况复苏相对缓慢的NAND闪存，SK海力士2023年主要集中于投资和费用的效率化。后续，SK海力士决定通过以eSSD等高端产品为主扩大销售，改善盈利并加强内部管理。

除此之外，从铠侠、西部数据以及存储器终端厂商发布的最新财报中也可以看出，各大厂商业绩均迎来较好表现。

存储企业迎来收获期？

按照Gartner的数据，2023年，全球半导体市场规模为5330亿美元，同比下滑了11%，是最近3年以来，最低的一次。

而其中存储芯片跌的最惨，NAND闪存跌了37.5%，DRAM内存跌了38.5%，整个存储芯片市场，预计跌了38%左右。

为此，三星、SK海力士、美光这三大存储芯片厂商，在2023年全年，亏损值超过1500亿元，将过去1-2年的利润，可能都亏完了。

不过，在2023年的4季度，因为市场需求恢复，手机、PC、电子产品，服务器等的出货量开始增长，全球DRAM（内存）和NAND闪存的价格均实现了3%至8%的上涨。

很明显，存储芯片的低谷已经过去了， 接下来存储芯片，又要进入涨价收获期了。

机构认为，2024年，DRAM和NAND闪存的需求将在各类AI应用中持续增长，包括智能手机、服务器和笔记本电脑，特别是服务器的增长，将大大促进DRAM产品的增长。

具体来看，Gartner预测半导体内存市场增长率将达到66.6%，细分的话，其中DRAM的增长率将达到88.0%，NAND闪存的增长则为49.6%。

这个增长，从两个方面来体现，一是价格上涨，机构认为随着供求关系恢复，价格会上涨，价格最终可能会上涨40-60%，甚至最高可能达到65%的涨幅。

二是销量会增长，因为需求增加，大家的出货是也会增加，价格上涨，销量增长，最终总规模则实现真正大幅度上涨。

而在这样的疯狂之下，大赚特赚的，估计也就是2023年大亏特亏的这三大存储芯片厂商了。


存储芯片的发展前景

市场规模持续增长：根据中研网发布的《2024年存储芯片行业市场未来发展前景分析》，预测2024年市场规模将增长至5513亿元。这表明存储芯片行业具有强劲的增长势头，市场潜力巨大。

应用领域不断拓展：存储芯片广泛应用于计算机、手机、平板等电子设备中，同时也逐渐渗透到智能汽车、物联网、智能家居等新兴领域。随着这些领域的快速发展，存储芯片的需求将持续增长。

服务器市场带动增长：根据TrendForce的统计数据，服务器DRAM市场对增长起到更大作用。特别是AI服务器对大容量、高速的内存支持需求增加，将进一步推动存储芯片市场的发展。

竞争格局变化：随着存储芯片市场的不断扩大，竞争格局也在发生变化。国内外厂商纷纷加大研发投入，推出更高性能、更低成本的存储芯片产品，以抢占市场份额。