众所周知，ASML已经推出了最新的EUV光刻机，叫做High NA EUV。

这种High NA EUV光刻机，与之前的光刻机，最大的参数区别就是之前的EUV光刻机，数值孔径是0.33NA的，现在的是0.55NA的。

数值孔径越大，收集和聚焦光就越多，那么光线功率越高，分辨率也越高。

按照ASML的说法，未来很长一段时间，High NA EUV可能就是天花板，可能再难以前进了，因为数值孔径达到0.55之后，以当前的技术水平，很难提升，除非技术上再有突破了。所以理论上有数值孔径为0.75 NA的Hyper NA EUV光刻机，但不一定能够量产。

也因为数值孔径的提升，所以以前的旧EUV光刻机，只能打印13.5nm的线宽，新的High NA EUV可以打印8nm线宽。

所以，ASML给大家的建议是，当生产2nm以下的芯片时，最好使用High NA EUV光刻机，因为分辨率更高。

为此，英特尔为了尽快推出2nm芯片，追上并超过台积电，就找ASML买了最新的High NA EUV光刻机，目前ASML已经将其运到了intel。

据称这台光刻机，重量高达150吨，也就是150000KG，运输时用到250个货箱，运到intel后，还需要ASML派250名工程师，花费6个月，才能组装并联调到位。

不过对这种光刻机，台积电似乎不感兴趣，台积电之前表示，2nm肯定不用这种光刻机，因为太贵了，就用之前的标准EUV光刻机就行。

后来台积电更是表示，1.6nm芯片，也不用这种光刻机，用标准EUV就够了，原因还是太贵，台积电不想换，毕竟这种光刻机要3.5亿欧元一台，接近30亿元。

但是，近日，台积电还是改口了，只确定2025年量产的2nm不用这种0.55NA的光刻机，至于1.6nm的，台积电自己也表示不确定了。

而ASML则表示，目前已经和台积电达成沟通，台积电会购买这种0.55NA的光刻机，至于什么时候购买，用于什么工艺，ASML没说。

其实说对于这个结果，并不意外，虽然0.55NA的EUV光刻机贵，但台积电也有不得不买它的理由。

前面已经提到过，数值孔径提升，分辨率提高，从13.5nm的线宽，提高到8nm了。另外生产速度也提升了，之前旧的EUV，每小时只能生产200片12寸的晶圆，新的0.55NA EUV光刻机，能生产400-500片12寸的晶圆，速度快2-2.5倍了。

对于台积电而言，如果速度、精度、效率都被英特尔超过了，那么前景堪忧，所以台积电也不得不认怂，继续找ASML买最新的EUV光刻机，哪怕它很贵，高达30亿元一台，也不得不买。

而这也正是ASML的商业模式，那就是挤牙膏式的不断升级ASML光刻机，推进先进工艺，然后让晶圆厂来买，一旦工艺不再前进，那么整个产业都会崩塌，而现在ASML差不多也走到终点了。