华为的“钻石”专利

不久前，华为与哈尔滨工业大学联合申请的一项专利，这项专利涉及一种基于硅和金刚石的三维集成芯片的混合键合方法。

具体来看，就是通过Cu/SiO2混合键合技术将硅基与金刚石衬底材料进行三维集成。华为希望通过两者的结合，充分利用硅基半导体和金刚石的不同优势。

硅基半导体的优势不用多说，有成熟的工艺及产线、生产效率高并且成本较低。

金刚石则是已知天然物质中热导率最高的材料，室温下金刚石的热导率高达2000Wm1K1，同时金刚石是宽禁带半导体，具备击穿场强高、载流子迁移率高、抗辐照等优点，在热沉、大功率、高频器件、光学窗口、量子信息等领域具有极大应用潜力。

在专利书中提及，本次结合利用的就是金刚石极高的发展潜力，想要为三维集成的硅基器件提供散热通道以提高器件的可靠性。

实际上，引发半导体业内“疯狂”的“钻石”芯片在国际上并非只有华为一家。近年来，“钻石”芯片的研发消息频频传来。

金刚石强在哪里

先说金刚石的高热导率。在大阪公立大学的研究里，提到了“由金刚石为衬底制作的氮化镓晶体管，其散热能力提高两倍之多”。

目前而言，芯片制造面临的最大基本挑战之一便是温度控制。对于大部分硅制的芯片来说，一旦温度过高，那么芯片就会变得不可靠。

而金刚石恰好是一种完美的“散热器”。在热导率数值上，它比碳化硅大4倍，比硅大13倍，可以有效降低半导体器件运行时产生的热量。

金刚石的5.5eV的禁带宽度。金刚石是一种超宽禁带半导体材料，其禁带宽度是Si的5倍；载流子迁移率也是Si材料的3倍，理论上金刚石的载流子迁移率比现有的宽禁带半导体材料（GaN、SiC）也要高2倍以上。

优秀的禁带宽度也使得金刚石拥有耐高压、大射频、低成本、耐高温等多重优异性能参数。甚至被称为“终极半导体”。日本开发的金刚石功率半导体利用的就是这一特性。

同时，需要注意，在2022年，美国商务部工业和安全局（BIS）发布公告，称出于国家安全考虑，将四项“新兴和基础技术”纳入新的出口管制，其中之一就是能承受高温高电压的第四代半导体材料金刚石。

金刚石的特殊的能量结构。这个特性主要是关于金刚石用在量子存储中。与传统的存储器相比，金刚石量子存储器能将光子转换成金刚石中碳原子的特定振动，适用于许多不同颜色光的这种转换，将允许对光进行广谱操纵。

金刚石的能量结构允许其以很低的噪声在室温下实现。从理论上来说，金刚石半导体在室温下工作，性能最高。 

日本Adamant Namiki Precision Jewel和佐贺大学研发出的可以用于量子计算机存储器的金刚石晶圆，主要希望利用这一特性。

金刚石芯片面临的挑战

当然，性能如此优秀的半导体材料，在其他方面不免受到一些限制。

首先就是成本。与硅相比，碳化硅的成本是其 30 到 40 倍，而氮化镓的成本是其 650 到 1300 倍。用于半导体研究的合成金刚石材料的价格约为硅的 10,000 倍。

另一个问题是金刚石晶片尺寸太小，市场上最大的金刚石晶片尺寸还不到 10 平方毫米。使用离子注入法掺杂这种材料很困难，而且这种材料的电荷载流子活化效率在室温下会降低。

为了解决生产应用方面的问题，不少公司都在努力攻关金刚石量产的相关技术。

 

     

国外企业联合推进

2023年初，日本佐贺大学与日本Orbray共同合作开发了金刚石制成的功率半导体，他们在蓝宝石衬底上制成2英寸的单晶圆。

2023年10月，美国的Diamond Foundry于成功制造出了世界上第一块单晶钻石晶圆，直径约4英寸。

法国格勒诺布尔的半导体金刚石初创公司Diamfab也在为了金刚石芯片的技术而不断努力。

 

今年3月，该公司宣布获得870万欧元的首轮融资。这笔资金来自Asterion Ventures、法国政府代表法国政府管理的法国科技种子基金等。

 

Advent Diamond 联合创始人兼首席执行官 Manpuneet Benipal表示，Advent Diamond正在开发的创新型金刚石辐射探测器为国防、商业和科学市场提供了变革性的解决方案。 

   

Benipal指出，目前Advent Diamond已有 1 到 2 英寸的镶嵌金刚石晶片，并正在努力将晶片尺寸扩大到 4 英寸。  

然而，缺陷密度仍然是一个关键问题，大多数晶片的缺陷约为 108个/平方厘米或更高。他表示，必须将缺陷降低到 103缺陷/平方厘米，才能实现预期性能。

结尾：

总而言之，金刚石半导体具有优于其他半导体材料的出色特性，如高热导率、宽禁带、高载流子迁移率、高绝缘性、光学透过性、化学稳定性与抗辐射性等。

未来，随着制造技术的进步和对金刚石的更深入研究，金刚石可能会成为制造高效、稳定、耐用的芯片的关键材料。