根据摩根士丹利的最新报告，全球内存市场在2025年将迎来一次前所未有的供需失衡，这一现象主要由人工智能技术的快速发展和过去两年内存行业资本支出不足所驱动。

报告预计，2025年HBM（高带宽内存）的供应不足率将达到-11%，而整个DRAM市场的供应不足率将高达-23%，特别是HBM的需求量预计将大幅增加，可能占总DRAM供应的30%。

这一供需失衡的情况预示着内存价格的显著上涨，报告中指出，商品存储产品的价格在2024年将以每季度两位数的速度上涨，而2025年HBM的价格将更高，服务器DRAM和超高密度QLC固态硬盘将引领这一价格上涨趋势。

内存市场的这一“超级周期”将为行业内的战略地位公司如SK海力士和三星带来市场份额的进一步增长。

摩根士丹利已将这两家公司的2024-2025年的每股收益预测提高了24%-82%，较最新的预期共识高出51%-54%。

SK海力士预计将在2025年占据HBM市场的最大份额，其股票目标价被提高11%至30万韩元，而三星电子的目标价被提高至10.5万韩元。

内存市场的这一轮超级周期与以往有所不同，由于当前周期中行业的资本支出远低于维持产能所需的水平，自2022年第三季度以来产能一直在下降。

这种投资的缺乏正发生在内存供应链迅速转移到HBM之际，HBM的生产每比特所需的晶圆容量是普通DRAM的两倍，其生产良率也较低，进一步加剧了供需失衡的情况。

三大内存厂加紧布局HBM

SK海力士公布了HBM发展路线图，该公司副总裁Kim Chun-hwan透露，计划在2024上半年量产HBM3e，并向客户交付8层堆叠样品，在6层堆栈HBM3e配置中，每层堆栈可提供1.2 TB/s的通信带宽，8层堆叠将进一步提升HBM内存的带宽。

Kim Chun-hwan表示，在不断升级的客户期望的推动下，存储行业正在面临激烈的生存竞争。随着制程工艺节点的缩小接近极限，存储器厂商越来越关注新一代存储架构和工艺，以给客户应用系统提供更高的性能。为此，SK海力士已经启动了HBM4的开发，计划于2025年提供样品，并于次年量产。

根据美光提供的信息，与前几代HBM相比，HBM4每层堆栈的理论峰值带宽将超过1.5 TB/s。为了实现这样的带宽，在保持合理功耗的同时，HBM4的目标是实现大约6GT/s的数据传输速率。

三星也有发展HBM4的时间表，计划于2025年提供样品，并于2026年量产。据三星高管Jaejune Kim透露，该公司HBM产量的一半以上是定制化产品，未来，定制HBM方案的市场规模将进一步扩大。通过逻辑集成，量身定制的HBM对于满足客户个性化需求至关重要。

三星和SK海力士之间的竞争正在升温。

一些市场观察人士表示，三星在HBM芯片开发方面落后于SK海力士，为了在新接口标准CXL开发中占据优势地位，三星加快了技术研发和产品布局。

SK海力士表示，计划加大对高带宽内存和DDR5芯片的投资，以适应人工智能市场的增长需求。“与2023年相比，2024年的资本支出将有所增加。……我们将最大限度地提升资金利用效率”，SK海力士副总裁兼首席财务官金宇贤表示：“在2023年投资金额的范围内，我们根据产品优先顺序调整了资本支出，2024年，我们将更多地关注转换制程工艺，而不只是增加产能。”

金宇贤表示，SK海力士将努力扩大第四代和第五代10nm级制程内存芯片的比例，到2024年底，这些新品将占据该公司DRAM产量的一半以上。不过，他表示，要达到2022年第四季度的产能水平，还需要相当长时间。

SK海力士对引领HBM市场充满信心，预测未来5年的年均增长率将达到60%~80%。该公司DRAM营销主管Park Myung-soo表示：“我们2024年的HBM3和HBM3e芯片产能已经售罄。根据客户和市场观察人士的说法，我们的HBM3产能份额非常高。”

据TrendForce统计，2023年第三季度，SK海力士挤下三星电子，成为全球最大的服务器DRAM厂商。报告显示，2023年第三季度，SK海力士服务器DRAM销售额达到18.5亿美元，拿下49.6%的市场份额，稳居全球龙头宝座，排名第二的三星电子，在该季度的服务器DRAM销售额为13.13亿美元，市占率为35.2%，同期内，美光的服务器DRAM销售额为5.6亿美元，市占率为15.0%，排名第三。

需要指出是，以上统计数字仅是传统服务器搭载的DDR5内存，不包括用于AI服务器的HBM，若将HBM销售计算在内，SK海力士领先三星电子的幅度会更大。

就整体DRAM模块市场而言，三星电子仍稳居DRAM霸主地位，但SK海力士正在急起直追。美光排名第三，市占率为21.5%。

排名内存行业第三位的美光也在加紧布局AI服务器市场，该公司计划在2024年第一季度量产HBM3e，以抢攻英伟达的超级计算机DGX GH200商机。美光技术开发事业部资深副总裁Naga Chandrasekaran表示，采用EUV技术量产的1-gamma制程产品，正在研发过程中，预计于2025年量产。

业界人士指出，在HBM产品开发方面，虽然美光落后三星和SK海力士近一年时间，但在新一代HBM3e产品开发和量产进度方面，该公司加快了节奏，有望在HBM竞赛中扳回一城。