目前全球仅ASML一家厂商，能够制造EUV光刻机。

而EUV光刻机，又是进入7nm以下工艺时，必不可少的半导体设备，离开EUV光刻机，不可能制造得出来。

而美国一直不准ASML将EUV光刻机卖给我们，所以我们要进入5nm、3nm确实是相当困难的，因为DUV光源毕竟采用的是193nm波长的光线，多重曝光后的极限光刻，可能也只支持7nm。

所以对于我们而言，必须突破EUV光刻机才行，否则芯片工艺就会一直卡在7nm这个阶段。

但要突破EUV光刻机，真的不容易，因为ASML已经将最为关键的几大供应链，绑在了自己的战车上，这几大企业，不会给ASML之外的光刻机厂商，提供技术、零件。

比如EUV光刻系统使用的，蔡司的布拉格透镜等，只有蔡司能生产，也只卖给ASML，其它厂商买不到。

一定程度上而言，走ASML的路，去造EUV光刻机，相当于绝路，走不通。

而近日，终于有新的路线出现了，这次是科学家们研究出了EUV光刻机中，EUV光源的替代方案，不需要采用现有的这种方案。

现有的方案是EUV-LPP方案，也就是激光等离子体EUV光源，通过二氧化碳激光器轰击锡金属液滴，产生EUV，再收集起来用来刻录晶圆。

新的方案叫做EUV-FEL，后面三个字母不同，代表获取EUV光线的方式不一样。EUV-FEL采用的是自由电子激光器，即由电子加速电子束在振荡器中发光，最后产生EUV光线。

这种方式，不需要二氧化碳激光器，不需要锡金属液滴参与，装置简单一些，且成本也低很多， 功率转化效率高很多。

更重要的是，EUV-FEL技术产生的光源，不仅仅能够产生13.5nm波长的EUV光线，还能够产生6.6-6.7nm波长的BEUV光线。

我们知道光刻机光线的波长越短，分辨率越高，能够制造的芯片也就越先进。

可见，如果采用这种全新的EUV-FEL技术，不仅能绕开ASML目前给行业构建的壁垒，绕开蔡司等被ASML绑定的供应链，还有可能研发出比EUV光刻机更先进的BEUV光刻机。

目前EUV-FEL是一种新技术，美国、日本、欧洲都有机构在研究，也没有被垄断的供应链，一切都在全新的，可以说大家处于同一起跑线。

也意味着，目前国内也可以研究这项技术，且这种EUV-FEL电子加速电子束技术、振荡器技术，我们并不落后，我们也完全有希望在这一技术上，实现弯道超车的。

更重要的是，前面已经提到了，这种EUV-FEL技术，可以生产出更短波长的BEUV光源，如果用这种光源来制造光刻机，那就比EUV光刻机更厉害了，那么我们的光刻机难题，就不再是难题了。

所以加油吧，机会来了，全新的技术，等着我们去突破，一旦攻克，那我们当前半导体产业遇到的一切打压，都不起作用了。