据日经亚洲援引知情人士称，美光正在美国建设先进高带宽内存芯片（HBM）的测试生产线，并首次考虑在马来西亚生产HBM，以满足人工智能热潮带来的更多需求。

在2023年10月，美光在马来西亚槟城的第二座智能（尖端组装与测试）工厂落成开业， 该工厂初期投入了10亿美元，在第一座工厂建成后，再加码10亿美元扩建第二座智慧厂房，将工厂建筑面积扩充至150万平方尺。

美光科技全球组装与测试营运高级副总裁古沙兰辛格(Gursharan Singh)顷于庆祝该公司45周年纪念及第二座智慧厂房开幕仪式后表示，马来西亚是美光科技最关键之投资据点，该集团计划于未来几年内，全面装备新厂房，以提高马国美光科技之生产率，并加强其组装与测试能力，提供先进的NAND、PCDRAM及SSD模组，以满足人工智慧与电动车等不断成长之需求。

近年来，人工智能服务器以及人工智能应用的爆炸式增长，HBM得到迅速采用，推动了内存领域前所未有的产能增长。作为回应，领先的 DRAM 制造商正在增加对 HBM/DRAM 的投资。SEMI 最新《世界晶圆厂预测》季度报告中，预计 2024 年和 2025 年 DRAM 容量都将增长 9%。

英伟达对美光HBM的需求旺盛。根据市场研究机构Yole的预测，仅英伟达一家对HBM的需求在未来几年内就有望超过百亿美元。此外，美光宣布其最新的HBM3E产品将用于英伟达的H200 Tensor Core GPU。

英伟达是台积电的大客户之一，台积电新任董事长魏哲家此前就抱怨过英伟达的产品太贵，魏哲家表示：“我们希望我们的客户能与我们分担一些更高的成本，我们已经开始与客户进行讨论。”黄仁勋也认为台积电涨价是合理的。TrendForce称，台积电在AI应用、PC新平台等HPC应用及智能手机高端新品推动下，5/4nm及3nm呈满载，今年下半年产能利用率有望突破100%，且能见度已延伸至2025年。

为满足英伟达大量的HBM产能需求，美光和SK海力士的HBM产能已经排到2025年底。英伟达正在对三星和美光科技的HBM进行资格认证。今年5月，路透社报道，三星电子最新的HBM芯片尚未通过英伟达测试。不过，黄仁勋在 2024 台北国际电脑展上，表示仍在认证三星公司的 HBM 内存，否认三星 HBM 未通过英伟达测试，并表示认证三星 HBM 需要更多工作和耐心。

报道称，美光计划在2025年将HBM领域的市场份额快速提升至约20%，以匹配其在DRAM行业整体营收中的份额。消息人士透露，美光正在其位于美国爱达荷州博伊西的总部扩建与HBM相关的研发生产设施，这包括技术验证产线和量产线。

美国拜登政府已经宣布，美光获得了美国商务部提供的 61.4 亿美元的直接资金补贴，这些资金将帮助美光将40%的动态随机存取存储器（DRAM）产能转移到美国。

援引路透社消息称，这项投资将推动美光公司在纽约州中部实施其价值 1000 多亿美元的四座晶圆厂项目，预计创造 50,000 个就业岗位。

据了解，美光会先在纽约建设两座领先的动态随机存取存储器 (DRAM) 工厂，这是美光在未来20年内投资约 1000 亿美元的长期投资计划的第一步。该资金还将支持美光在爱达荷州的 DRAM 工厂投资250亿美元，该工厂将与美光在博伊西的研发设施位于同一地点。

美光也在日本扩产，美光获得日本政府半导体补助后，就宣布将在日本广岛县投资6,000亿至8,000亿日圆（约38亿至51亿美元），兴建一座采用极紫外光（EUV）微影制程的先进DRAM晶片厂，最快2026年初动工，2027年底开始营运。

美光打算在日本增设的新厂，最初预定日本新厂在今年之前开始营运，明年之前开始生产先进DRAM芯片，同时进行HBM芯片研发，但前两年存储芯片市况低迷让日本建厂计划暂停，直到近日才重启计划。

资金方面，日本政府将提供1,920亿日圆补助，其中1,670亿日圆直接补助先进DRAM生产，占美光对广岛厂生产线投资额的三分之一。日本政府将其余250亿日圆补助款用来协助美光推动新一代芯片研发，占美光广岛厂研发经费的二分之一。

据TrendForce报道，美光在广岛的新工厂位于现有的Fab 15附近，专注于 DRAM 生产，不包括后端封装和测试，并将重点放在 HBM 产品上。

美光科技广岛新工厂将率先采用极紫外 (EUV) 光刻设备，生产中国台湾和日本合作开发的新型先进 1-Gamma 工艺 DRAM。随后，该工厂还将过渡到 1-Delta 工艺，从而大幅增加 EUV 工具的使用量和更高的洁净室设施。

至于位于广岛的Fab 15，则是HBM的量产基地，负责前端晶圆生产和硅通孔（TSV）工艺，而后端堆叠和测试工艺则由中国台湾台中后端工厂负责。TechNews援引的市场报告表明，由于HBM需求不断增长，美光在台湾的工厂将从明年开始投入HBM生产和TSV工艺。

由于美光需要加速渗透HBM市场，且2025年产能已被客户满订，兴建新厂势在必行，并计划在2025年维持HBM产品线市占率20%至25%，争取追平传统DRAM的水平。