在人工智能、高性能计算和数据中心等领域需求的推动下，2024年HBM（高带宽内存）市场仍然呈现显著的增长态势。而且，这一增长趋势也带动了NAND需求的增长。这些细分存储品类的市场利好也将让一众存储大厂获益颇丰。

近日消息，三星三季度将把动态随机存储器 (DRAM) 和NAND的价格上调15-20%，预计三星电子下半年的业绩也将有所改善。6月27日，美光科技也称，2024-25年HBM内存芯片已经售罄，内存芯片供不应求。

尽管各大存储大厂计划增加HBM产能以应对强劲的需求增长，但由于复杂的制造工艺，短期内仍难以满足市场需求。除了美光科技之外，SK海力士也曾被传至2025年底之前的HBM产能已经售罄。而且，为了维持HBM市场垄断地位，SK海力士还与台积电联盟，合作推进HBM4的研发，预计HBM4将于2026年开始量产。

由此可见，AI技术带来存储行业暖风还将持续一段时间，也将成为存储行业未来上行周期的重要支撑。

AI需求持续旺盛

造成存储芯片上涨行情的原因，无疑是生成式人工智能（AI）的火爆需求，特别是云端高性能AI芯片对高带宽内存（HBM）的需求旺盛。此外，AI服务器和移动应用程序的需求上升也进一步推动了HBM市场的增长。

根据TrendForce 数据及预测，2022-2024年HBM3需求占比分别为8%/39%/60%，HBM3凭借其卓越性能加持ASP显著高于前序版本，或进一步推动HBM市场规模在2024年达到169亿美元，同比增长288%。

高盛预计，全球HBM市场规模将在2023-2026年期间以约100%的复合年增长率增长，并在2026年达到300亿美元。

瑞士银行此前报告中也指出，2024和2025年的HBM需求分别上调1.9%、8.7%，而2025年HBM3E 12Hi 需求将占行业总需求58%，而英伟达将占2024、2025年HBM总消耗量的47%、43%。整体来说，HBM还将挤压DDR供应，在明年第四季前促进DRAM迎上升周期。

当地时间6月26日，存储芯片大厂美光科技发布了截至5月30的2024财年第三财季财报。根据财报显示，美光第三财季总营收为68.1亿美元，较上年同期的37.5亿美元同比增长81.6%，超过FactSet预期的66.7亿美元。

从具体的业务来看，美光第三财季的DRAM收入环比增长13%，达到47亿美元，符合市场预期；NAND Flash收入环比增长32%，达到了21亿美元，高于FactSet预期的19亿美元。

美光CEO Sanjay Mehrotra也表示，“在数据中心方面，快速增长的AI需求使我们的收入与上季相比增加超过50%。”

对于2025财年的预期，Mehrotra表示：“展望2025年，对AI个人电脑和AI手机的需求，以及数据中心AI的持续增长，为我们提供了有利的布局，让我们有信心在2025财年实现大幅收入增长，且随着我们持续转向至高利润产品组合，获利能力显著提升。”

HBM供需失衡

从供应端来看，目前多家存储大厂如SK海力士和三星正在努力扩大HBM的产量，计划将HBM产量提高至2.5倍。而美光科技也正在采取多种措施来应对2024-25年HBM内存芯片的供需不平衡问题。首先，美光科技正在美国建设HBM测试产线与量产线，并首次考虑在马来西亚生产HBM，以增加生产能力。此外，美光科技计划在2025年将HBM市占率提高两倍以上，达到20%左右。

从需求端来看，英伟达计划在2024年第四季度推出B100、B200和GB200等多款新产品，并将在未来几年继续推出更多高性能GPU，如Blackwell Ultra和Rubin GPU。这些新产品对高带宽内存（HBM）的需求巨大，因为它们需要处理大量的数据和复杂的计算任务。

从技术层面来看，2024年，HBM技术迎来了新的突破，特别是HBM3和HBM3e的推出，这些新技术在AI服务器等应用场景中得到了广泛应用，推动了市场需求的增长。然而，HBM作为基于3D堆栈工艺的高性能DRAM，虽打破了内存带宽及功耗瓶颈，推动了GPU性能的提升，但HBM产品的复杂封装堆栈也影响了良品率，进一步加剧了供不应求的局面。

因此，整体来看，HBM供求平衡短期内仍难以实现。 

大摩此前就预计，内存将迎来新一轮“超级周期”，内存行业的定价权优势将进一步凸显。AI快速发展将导致DRAM和HBM的供需失衡，预计2025年HBM的供应不足率为-11%，整个DRAM市场的供应不足率为-23%。特别是HBM的需求量将大幅增加，可能占总DRAM供应的30%。

有半导体行业人士透露，“客户通常只提供下一季度的需求预测，但现在开始向半导体公司提供全年计划，这表明他们非常重视确保供应。由于目前是卖方市场，最终谈判价格可能超过15%的涨幅。”

AI行情蔓延至NAND

值得关注的是，存储芯片的利好行情已经从DRAM蔓延至NAND。据悉，三星电子和SK海力士已将NAND工厂的开工率由去年的20-30%升至70%以上。另一存储大厂铠侠则已将旗下两座NAND闪存厂的产线开工率提升至100%，结束了自2022年10月起为期20个月的减产动作。

同时，三星电子也在第二季度已将企业级NAND闪存价格上调超过20%。随着AI热潮在下半年进一步推高服务器需求，存储芯片价格有望继续攀升。

市场研究机构DRAM Exchange的数据显示,今年第一季度全球企业级NAND闪存销售额达到37.58亿美元，环比增长62.9%。需求增长导致部分产品供应短缺，客户争相确保供应的意愿日益增强。

除了存储原厂之外，半导体材料供应商也感受到了AI需求吹来的暖风，且步入了扩产的步伐。

根据韩国金融信息服务机构FNGuide数据，Soulbrain、Wonik Materials、TEMC等韩国半导体材料供应商上调了收益预测。其中，Soulbrain预计第二季度营业利润将同比增长22%，Wonik Materials和TEMC分别预测第二季度营业利润与去年同期相比分别增长200%和40%。

当前，在服务器市场需求的支持下，存储原厂正积极转产至服务器eSSD、DDR5及HBM等高价产品。然而，除了AI概念相关存储产品之外，其他类别的存储芯片，特别是消费类市场需求仍然较弱，使得存储市场整体缺乏量能支撑。

CFM闪存市场就指出，消费类市场复苏不均，品牌销量呈此消彼长，更关键的是终端普遍持有一定安全库存作为缓冲。美光科技近日也提到了这一点，即工业和零售需求存在不确定性。