本文主要给大家介绍MOSFET的工作原理和主要参数。

一、MOSFET 简介

MOSFET英文全称是 Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，中文全称是金属氧化物半导体场效应晶体管。有N通道MOSFET（耗尽型和增强型）和P通道MOSFET（耗尽型和增强型）。

MOS由金属层（M）、氧化物层（O）和半导体层（S）三部分组成。其中，金属层作为栅极（G），氧化物层作为绝缘层，半导体层则构成了源极（S）和漏极（D）。MOS的工作原理基于半导体材料中载流子的输运和场效应，通过控制栅极电压来改变半导体表面的电场分布，从而调制源极和漏极之间的电流。

当栅极与源极之间施加电压时，会在栅极下方的半导体表面形成一个电场。这个电场会改变半导体表面的电荷分布，从而影响源极和漏极之间的电流。通过调节MOS的栅极电压，可以控制电流在源极和漏极之间的通断状态，从而实现开关和放大等功能。

MOS器件通常具有低导通电阻、低功耗、开关速度非常快、工作温度范围宽、高可靠性等特点，在在信号传输和处理上具有强大的作用。

二、MOSFET 的主要参数

1、ID：最大漏源电流

它是指场效应管正常工作时，漏源间所允许通过的最大电流，场效应管的工作电流不应超过ID。

2、IDM：最大脉冲漏源电流

此参数会随结温度的上升而有所减额。

3、VGS：最大栅源电压

VGS额定电压是栅源两极间可以施加的最大电压，主要目的是防止电压过高导致的栅氧化层损伤。

4、V(BR)DSS：漏源击穿电压

它是指栅源电压VGS为0时，场效应管正常工作所能承受的最大漏源电压。这是一项极限参数，加在场效应管上的工作电压必须小于V(BR)DSS。它具有正温度特性。

5、RDS(on)

在特定的VGS（一般为10V）、结温及漏极电流的条件下，MOSFET导通时漏源间的最大阻抗。它是一个非常重要的参数，决定了MOSFET导通时的消耗功率。此参数一般会随结温度的上升而有所增大。故应以此参数在最高工作结温条件下的值作为损耗及压降计算。

6、VGS(th)：开启电压（阀值电压）

当外加栅极控制电压VGS超过VGS(th)时，漏区和源区的表面反型层形成了连接的沟道。此参数一般会随结温度的上升而有所降低。

7、PD：最大耗散功率

它是指场效应管性能不变坏时所允许的最大漏源耗散功率。使用时，场效应管实际功耗应小于PDSM并留有一定余量。此参数一般会随结温度的上升而有所减额。

8、Tj：最大工作结温

通常为150℃或175℃，器件设计的工作条件下须确应避免超过这个温度，并留有一定裕量。