基础半导体器件领域的专家Nexperia今日宣布，位于英国曼彻斯特的新8英寸晶圆生产线启动，首批产品使用最新的NextPower芯片技术的低RDS(on)和低Qrr，80 V和100 V MOSFET。新生产线将立即扩大Nexperia的产能，新的PSMN3R9-100YSF (100 V)和PSMN3R5-80YSF (80 V)器件将具有行业内极低的Qrr品质因数(RDS(on) x Qrr)。

Nexperia产品经理Mike Becker指出：“鉴于全球半导体短缺的情况下，Nexperia积极投资全球制造工厂以提高产能，包括曼彻斯特和菲律宾的MOSFET生产设备，这对买方来讲一个好消息。新型MOSFET的性能也令设计人员感到兴奋。这些MOSFET非常适合各种开关应用，也可以替代其他供应商的产品。”

NextPower 80 V和100 V芯片MOSFET可以显著降低RDS(on)，前一代100 V器件为7 m?，而新器件只有4.3 m?，效率大大提高。对于100 V器件，NextPower技术还提供44 nC的极低Qrr，有效降低了尖峰值和EMI干扰。总体而言，100 V器件的Qrr品质因数平均比竞争对手同类产品低61%。

新的80 V和100 V MOSFET采用具有高热性能和电气性能的Nexperia LFPAK56E铜夹片技术封装。器件广泛适用于开关应用，包括AC/DC、DC/DC和电机控制等。