7月12日，SK海力士官方给出消息称，开始启用EUV光刻机闪存内存芯片。按照官方的说法，公司的第四代10nm（1a）级工艺的 8Gigabit（Gb） LPDDR4 移动端 DRAM（动态随机存储器）产品已经在今年7月初开始量产。

SK海力士预计从下半年开始向智能手机厂商供应采用1a纳米级技术的移动端DRAM。

10nm级DRAM产品开始，半导体业内将每一代工艺节点都以标注字母的方式起名，第一代是1x nm、第二代是1y nm、第三代是1z nm、第四代是1a nm，SK海力士预计从今年下半年开始就可以向智能手机制造厂商供应1a nm级工艺技术的移动端DRAM产品。这次比较特别的是，SK海力士通过部分采用了EUV（极紫外）技术，完成了对其稳定性的验证，首次使用EUV光刻设备进行量产。

SK海力士期待新技术能带来生产力的提升，并进一步提升成本竞争力。该公司预计，与之前的1z nm节点相比，1anm 技术将使相同尺寸的晶圆生产的DRAM芯片数量增加25%。SK海力士预计，随着全球DRAM需求的增加，1anm DRAM也可能有助于缓解全球市场的供需状况。

SK海力士将从明年初开始将1a nm级工艺技术应用于旗下的DDR5产品。在未来，三星和美光都将启用EUV光刻设备生产DRAM产品，但美光会更晚一些，按计划要等到2024年。

去年SK海力士宣布斥资90亿美元（约合600亿元）收购Intel闪存部门，合并之后有望成为仅次于三星的第二大闪存巨头，六大原厂将减少为五家。