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台积电、三星nm制程掺水,intel放弃nm制程叫法重命名
2021-07-27 来源:中电网
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众所周知,在14nm芯片工艺节点前,像台积电三星、intel等制造厂都是严格的按照摩尔定律来制造芯片的,那就是每18个月,晶体管密度就要翻一倍。

同时所谓的nm制程,是指晶体管的沟道长度,沟道长度是多少,就是多少nm工艺节点,严格对应的。

台积电、三星nm制程掺水,intel放弃nm制程叫法,全新命名

但后来随着芯片越来越先进,摩尔定律已经很难实现了,因为晶体管慢慢的接近原子大小了。于是从10nm开始,台积电、三星等就不再严格按照摩尔定律来了,同时在制程工艺上,也就开始了掺水。

具体来看,沟道长度与XXnm不再有直接对应关系了,这个是台积电高管曾承认的,说XXnm更多的是营销游戏了。另外从晶体管密度来看,也不再严格遵守18个月翻一倍的规则了。

而为了证明这一点,前段时间Digitimes就分析了台积电、三星、Intel及IBM四家厂商10nm、7nm、5nm、3nm及2nm的晶体管密度情况。

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我们发现三星的芯片,在相同的节点,密度是最低的,而台积电好一些,英特尔是最高的,可以说只有英特尔是真的在遵守摩尔定律的。

但或许也因为如此,所以英特尔对外公布的工艺节点是最落后的,因为目前才10nm,而三星、台积电都已经5nm了。

可能也感受到了这些,所以英特尔近日做了一个重要决定,公布了公司有史以来最详细的制程工艺和封装技术路线图,并彻底的抛弃nm工艺叫法。

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简单的来讲,就是从下一代芯片开始,intel不会再说这是7nm,或者5nm,或者3nm,1nm等工艺了,而是起了一个新的命名。

下一代芯片,英特尔称之为intel7,再是intel4、再是intel3,再到intel 20A…… 从这些命名,你能看出来是多少nm的么?已经不能了。

而在芯片每一代工艺对比上,英特尔采用的上每瓦性能将提升来说,比如Intel 7与英特尔10nm相比,每瓦性能将提升约10%-15%,而intel4与上一代相比,每瓦性能约提升20%,而Intel 3较Intel 4将在每瓦性能上提升约18%。

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对此,不知道大家怎么看?很明显,intel不愿意像台积电、三星一样在工艺节点上进行掺水,所以不想用这种nm命名,因为这样会显得自己严重落后于三星、台积电。

所以intel启用新的命名,这样大家不会将自己的工艺与台积电、三星来横向对比了,毕竟intel4究竟是几nm,谁也不知道啊。



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