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三星:3nm GAA技术已领先,取代台积电指日可待!
2021-08-27 来源:中电网
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关键词: 三星 3nm GAA

三星电子决心要赶在台积电前,将新一代3nm GAA制程技术商业化。

据Business Korea报道,三星Device Solution事业部技术负责人Jeong Eun-seung于25日在线上召开的三星科技暨事业论坛(Samsung Tech & Career Forum)上指出,“我们的GAA制程开发进度领先主要竞争对手(台积电),若能确实巩固技术,则三星的晶圆代工事业有望进一步茁壮成长。

GAA是实现3nm制程技术的重要一环,近期有望获全球顶尖的晶圆代工商采纳,其关键在将晶体管架构从3D(FinFET)转换成4D(GAA)。

三星已在2019年5月发布了3nm GAA制程技术的物理设计套件(PDK),并于2020年通过制程技术认证。该套件使三星3nm GAA 结构制程技术可用于高性能计算(HPC)、5G、移动和高端人工智能(AI)应用芯片生产。

三星指出,2019年跟客户测试3nm GAA设计套件后发现,这种技术可将芯片片面积缩减45%、效能提升50%。

今年6月,三星对宣布其基于GAA技术的3nm制程成已成功流片(Tape Out)。

按照三星的说法,与5nm工艺相比,3nm GAA技术的逻辑面积效率提高了35%以上,功耗降低了50%,性能提高了约30%。

Jeong在25日还表示,“三星2017年才成立晶圆代工事业部,但凭借公司在存储制造方面的专长,取代台积电指日可待。”他举例指出,三星曾领先台积电开发出一款采用FinFET技术的14MHz产品。

不过,根据资料显示,2011~2020年期间,全球有31.4%的GAA专利来自台积电,仅20.6%来自三星。



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