9月10日消息，应用材料宣布，该公司推出新的200亳米（8吋）化学机械研磨(CMP)系统，可精确移除晶圆上的碳化硅（SiC）材料，最大化芯片效能、可靠性和产能；且透过这项新的碳化硅芯片「热植入」技术，可在对晶格结构破坏最小的情况下注入离子，进而最大化发电量和组件产能。

应用材料指出，公司推出这项新产品，将协助全球领先的SiC芯片制造商，从150毫米（6吋）晶圆制造升级为200毫米（8吋）制造，增加每片晶圆裸晶 (die) 约一倍的产量，满足全球对优质电动车动力系统日益增加的需求。

应用材料强调，由于SiC功率半导体可以高效地将电池功率转化为扭力，并提高电动车的性能和续航能力，因此市场需求极高。

应用材料进一步指出，和硅比较，SiC本身较为坚硬，其原生缺陷可能会导致电气性能、功率效率、可靠性和产能下降，所以，需要更先进的材料工程技术来优化裸晶圆的生产，并建构对晶格损害最小的电路。

全球最大SiC基板制造厂科锐 (Cree) 公司总裁暨执行长Gregg Lowe指出，交通产业电动化不断上升的，公司也正透过Wolfspeed技术，引领全球从硅转换到碳化硅，加速推动此一历史转折点。在更大型的8吋晶圆上提供最高效能的碳化硅功率组件后，公司不仅能提高终端客户的价值，还能满足不断成长的需求。

Lowe补充说，应用材料支援并加快 Albany 8吋的制程检定，以及公司Mohawk Valley晶圆厂的多项设备安装，加速了这项转型。此外，应用材料ICAPS团队所开发的各种新技术，如热植入 (hot implant) 等，也扩大加深了彼此的技术合作，同时协助科锐在功率技术上的发展。