领先的碳化硅（SiC）功率半导体制造商UnitedSiC（联合碳化硅）公司，现已发布业界最佳的750V、6mΩ器件，从而响应了电源设计人员对更高性能、更高效率的SiC FET的需求。这款6mΩ新器件的RDS(on)值不到最接近的SiC MOSFET竞争产品的一半，并且还提供了鲁棒的5μs额定短路耐受时间。今天所发布的产品包括750V SiC FET系列中的9种新器件/封装选项，额定值为6、9、11、23、33和44mΩ。所有器件均有采用TO-247-4L封装的方案，同时18、23、33、44和60mΩ器件还提供了采用TO-247-3L封装的方案。这一750V扩展系列与现有的18和60mΩ器件相辅相成，其为设计人员提供了更多的器件方案，实现了更大的设计灵活性，因此可实现最佳的性价比权衡，同时保持充足的设计裕度和电路鲁棒性。

UnitedSiC的第4代SiC FET采用了“共源共栅”拓扑结构，其内部集成了一个SiC JFET并将之与一个硅MOSFET封装在一起。这两者结合起来就提供了宽禁带技术的全部优势——可实现高速和低损耗以及高温工作，同时还可保持简单、稳定和鲁棒的栅极驱动，并具有集成的ESD保护。这些优势可通过品质因数(FoM)进行量化，例如RDS(on)×A，这个指标衡量了每单位芯片面积的传导损耗。在这一指标上，第4代SiC FET在高低裸片温度下均可达到市场最低值。RDS(on)×EOSS/QOSS这一FoM在硬开关应用中很重要，第4代SiC FET的这个值是最接近的竞争对手值的一半。RDS(on)×COSS(tr)这一FoM则在软开关应用中至关重要，如果将UnitedSiC额定电压为750V的器件与竞争对手额定电压为650V的器件相比，前者的这个值比后者低约30%。对于硬开关应用，SiC FET的集成体二极管在恢复速度和正向压降方面优于竞争对手的Si  MOSFET或SiC MOSFET技术。第4代技术中所包含的其他优势，则是通过先进的晶圆减薄技术和银烧结贴片工艺降低了从裸片到外壳的热阻。这些特性可在要求苛刻的应用中实现最大功率输出，同时实现低芯片温升。

新的UnitedSiC SiC FET凭借其在开关效率和导通电阻方面的最新改进，非常适合具有挑战性的新兴应用。其中包括电动汽车中的牵引驱动器以及车载和非车载充电器，以及可再生能源逆变器、功率因数校正、电信转换器以及所有AC/DC或DC/DC功率转换中单向和双向功率转换的所有阶段。成熟的应用也可以从使用这种器件中受益——可以凭借其与Si MOSFET和IGBT栅极驱动器以及成熟的TO-247封装的向后兼容性来轻松提高效率。

正如UnitedSiC总裁兼首席执行官Chris Dries所述：“UnitedSiC第4代SiC FET无疑是竞争技术中的性能领导者，并为宽禁带开关技术树立了新的标杆。新增的产品系列现在为所有的性能和预算规格以及更广泛的应用提供了更多选择。”

新款750V第4代SiC FET的定价（1000片起，美国离岸价）从UJ4C075044K3S的4.15美元到UJ4SC075006K4S的23.46美元不等。