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ASML的坏消息,日本厂商新技术,不要EUV光刻机,可生产5nm芯片
2021-10-25 来源:互联网乱侃秀
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关键词: 光刻机 台积电 三星 半导体

众所周知,在芯片生产过程中,光刻机是绕不过的设备,如果从整个生产来看,光刻机的成本占总设备成本的30%。

最关键的是,当进入到7nm工艺后,必须要用到EUV(极紫外线)光刻机,这种光刻机只有荷兰ASML能够生产,且产能有限,厂商们要买到,并不容易,要排除,且ASML要优先供应台积电三星、intel这几家股东。

所以一直以来,大家都在寻找其它办法,比如不用EUV光刻机,能不能生产7nm及以下的芯片?事实上,也有厂商是这么想并打算这么干的,因为通过DUV光刻机进行多重曝光,理论上也能达到7nm。

但这种办法非常复杂,对技术要求非常高,同时良率低,晶圆的损耗比较大,所以如果能够买到EUV光刻机,就不可能用这种办法,这种办法生产出来的芯片,完全没有市场竞争力。

而近日,日本厂商搞出了另外一种办法,那就是不采用DUV多重曝光,而是开发了一种新的NIL制程技术,这种技术不需要EUV光刻机,就可以将芯片制程推至5nm。

这家厂商就是日本的存储大厂铠侠Kioxia(东芝),它与日本的光学/半导体厂商佳能,还有光罩/半导体厂商大日本印刷株式会社(DNP),经过了4年的研发,终于研发出了纳米压印微影(NIL) 的量产技术。

目前铠侠已将其应用到了15nm的NAND闪存制造上了,并表示到2025年应该可以应用到5nm的芯片制造上。

铠侠表示,NIL 技术与EUV光刻技术相比,可以大幅度的减少耗能,转化效率高,耗电量可压低至EUV 技术的10%,同时NIL技术下的设备也便宜,与ASML的EUV光刻机相比,投资可降低至仅有EUV 设备的40%。

不过也有专业人士指出,NIL技术也许能够推进芯片制程至5nm,但可能更适应于NAND这种3D堆叠的闪存芯片,不一定适用于所有的芯片。

不过合作厂商之一的佳能,则表示要努力的将NIL 量产技术广泛的应用于制作DRAM 及PC 用的CPU 等逻辑芯片的设备上。

对于这个技术,不知道大家怎么看?如果真的能够推进至5nm,且用于除NAND之外的通用芯片,那么ASML就必将走下神坛。

甚至从一定程度而言,也是国产芯的好消息,你觉得?对于这样的弯道超车的技术,真希望它能够多一点,并且是中国厂商研发的就好了。



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