基础半导体元器件领域的专家Nexperia，今天宣布推出650V、10A SiC肖特基二极管，正式进军高功率碳化硅(SiC)二极管市场。这对于高效功率氮化镓(GaN) FET的可靠供应商Nexperia而言是一项战略性举措，旨在扩展高压宽禁带半导体器件产品范围。

Nexperia的首款SiC肖特基二极管为工业级器件，重复反向峰值电压为650V(VRRM)，持续正向电流为10A(IF)，旨在为功率转换应用实现超高性能、高效率、低损耗。以及兼容高压的具有更高爬电距离的纯双引脚(R2P)封装，使该系列二极管可用于表面贴装（DPAK R2P和D2PAK R2P）或通孔式（TO-220-2、TO-247-2）器件。现已可提供工程样品，并计划于2022年第二季度发布完整产品。Nexperia计划持续扩充SiC二极管产品组合，预计推出总共72款在650V和1200V电压、6-20A电流范围下工作的产品。

随着人们的能源意识日渐增强，对于具备出色效率和功率密度的高功率应用的需求日益旺盛。而在这方面，硅将很快达到物理极限。Nexperia双极性分立器件部门总经理Mark Roeloffzen表示：“诸如氮化镓和碳化硅等宽禁带半导体现在能够很好地满足大批量应用的严格要求，为原始设备制造商带来更高的效率和功率密度，降低系统成本和运营成本。Nexperia广泛的SiC二极管产品组合将为市场带来更多选择和便利性。”

Nexperia的SiC肖特基二极管的初始目标市场是工业和消费类应用，包括：

· 开关模式电源(SMPS)

· AC-DC和DC-DC转换器

· 电池充电基础设施

· 不间断电源(UPS)

· 光伏逆变器

Nexperia还计划发布车规级器件，用于车辆电气化应用，如：

· 车载充电器(OBC)

· 逆变器

· 高电压DC-DC转换器