对于半导体制造来说，光刻机是极为关键的设备。数据显示，在先进制程产线当中，光刻机的成本占比高达22%，同时也在所有制造工序所消耗的时间当中占据了20%。而全球光刻机大厂ASML独家供应的EUV光刻机，则是制造7nm以下先进制程的必备设备。

目前 ASML 已经推出第三代 EUV光刻机，分别是 TWINSCAN NXE: 3400B、NXE: 3400C、NXE: 3600D，数值孔径都为 0.33。理论第三代 EUV光刻机生产的芯片精度最多 2nm左右，一旦进入 2nm节点以下时，还需要更高精准度的光刻机，称为 High NA（高数值孔径）EUV 光刻机。

ASML下一代高精准度 EUV光刻机型号为 EXE: 5000，数值孔径为 0.55，可用于2nm节点以下芯片制造，如 1.4nm（14埃米）、 1nm（10 埃米）等制程。

2020 年底有媒体报导，ASML 已基本研发完成了新一代高精准度 EUV 曝光设备，且正在试产，预计 2022 年就开始商用。日前比利时微电子研究中心（imec）也表示，ASML EXE: 5000 EUV 光刻机将在 2022~2023 年起供货。不过，2nm以下先进制程节点芯片的量产至少要等到2025年之后。

据 Imec在11月 ITF 大会先进制程节点演进状况，2025 年开始推出 A14（A14＝1.4 奈米）制程节点、2027 年推出 A10（10＝1 奈米）制程节点、2029 年推出 A7（A7＝0.7 奈米）制程节点。

市场分析师也表示，ASML NXE: 5000 型号 0.55 高数值孔径 EUV 曝光设备，预计每套售价高达 3 亿美元，是 0.33 孔径 EUV 光刻设备两倍，对半导体制造厂是另一惊人资本支出高峰期，目前仅台积电、三星、英特尔等三家厂商有能力持续研发先进制程，未来竞争高数值孔径 EUV 光刻机抢得先机，将是难以避免的戏码。