12月29日，据报道，联电已通过投资联颖，切入第三代半导体领域。联电计划从6寸氮化镓（GaN）产品入手，之后将展开布局碳化硅（SiC），并向8寸晶圆发展。公司透露，第三代半导体制程将从CMOS转换而来，未来将伺机扩产。

联电表示，由于目前业内较少厂商能够提供GaN整体解决方案，正在构建技术平台，由联电、联颖共同研发，聚焦电子、射频微波等应用，预计明年将导入IC设计客户。

另外，联电更与比利时微电子研究中心（IMEC）携手，开展第三代半导体研发。后者是全球知名独立公共研发平台、半导体业内指标性研发机构，英特尔、三星、台积电、高通等均与其有合作。

值得一提的是，联颖有望成为联电第三代半导体的主要生产阵地。联颖此前主营业务便是6寸晶圆，但长时间处于亏损状态，产能利用率也处于较低水平。但去年下半年以来，业绩好转，产能持续满载，明年产能有望较今年翻倍增长。

能源技术革命向材料领域渗透 第三代半导体打开增长空间

除联电之外，产业链其余厂商也没有错过第三代半导体这一契机。

龙头台积电在GaN投入多年，目前已小批量提供6寸晶圆代工服务。同时，公司针对车用领域，与意法半导体合作开发GaN制程，而Navitas（GaN消费市场龙头）、GaN Systems等厂商也已在台积电投片，生产高压功率半导体器件。

世界先进已展开8寸GaN on Si研发，已有超过10家客户进行产品设计，台湾电子时报指出，该技术可靠性与良率已接近量产阶段。

就在上周，硅晶圆厂商环球晶宣布，明年将大幅扩产第三代半导体，GaN及SiC产能均将翻倍增长。

各路厂商争相布局的背后，是新能源汽车、5G等新兴产业崛起和“双碳”目标带来的广阔增量空间。

SiC方面，其背后主要驱动力与新能源汽车紧密相连。据三安光电副总经理陈东坡预计，在2023-2024年，长续航里程的车型基本上80-90%、甚至100%都将导入SiC器件。同时，高压快充平台则是另一个需求增长点，目前车企打造800V高压平台都是从IGBT入手，以SiC器件取代硅基IGBT。

GaN则主要用于5G射频器件、功率器件等，市场空间同样备受青睐。

总体来说，目前第三代半导体仍处于发展初期，分析师认为国内企业与国际巨头差距相对较小，对后来者也较为有利。