3月8日报道，摩根士丹利发布报告指出，根据台积电退休工程师的说法，得知台积电即将完成其改进版3纳米工艺N3E的开发，将在3月底前完成N3E制程设计流程。这意味着该制程有望于2023年第二季度投入量产，较此前计划的2023年第三季度提前一个季度。

N3E的晶体管数量虽然比第一代3nm制程减少约8%，但仍较5nm制程提升了约60%，且减少了4层EUV光罩，使N3E将成为台积电更具成本及生产效率优势的重要节点。其他信息还包括：N3E工艺试产良率远高于N3B，在减少4层EUV掩膜的情况下，逻辑电路密度仅较原先的N3工艺下降 8%，较5纳米节点仍有60%的提升。